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उत्पाद विवरण:
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| सामग्री: | इस प्रकार से | रचना: sic: | > 98% |
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| रंग: | काला | घनत्व: | ≥3.05g/cm3 |
| अधिकतम। सेवा अस्थायी: | 1650 ℃ | आनमनी सार्मथ्य: | 380MPA |
| रचना: sic: | > 85% | घनत्व: | ≥3.0g/cm3 |
| अधिकतम। सेवा अस्थायी: | 1380℃ | आनमनी सार्मथ्य: | 250 एमपीए |
| आकार: | अनुकूलित | घनत्व: | 2.5/2.6 ग्राम/सेमी 3 |
| गर्मी चालन: | 23.26 w/(m · ℃) | प्रतिरोधकता: | 1000 ～ 2000 ω · मिमी 2/एम |
| तन्य शक्ति: | 39.2 ～ 49 एमपीए | आनमनी सार्मथ्य: | 70 ～ 90 एमपीए |
| घनत्व: | 2.5 ~ 2.6g/cm¯ | अधिकतम। सेवा अस्थायी।: | 1500 ℃ |
| आनमनी सार्मथ्य: | 70-90 एमपीए | रैखिक थर्मल विस्तार गुणांक (20-1500 ℃): | 5 × 10⁻⁶/℃ |
| विधुतीय प्रतिरोधकर्ता: | 1000 ~ 2000। | ||
| प्रमुखता देना: | औद्योगिक हीटिंग तत्व,औद्योगिक एसआईसी हीटर तत्व,एड टाइप हीटिंग तत्व |
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समान व्यास के सिलिकॉन कार्बाइड रॉड - औद्योगिक भट्टियों के लिए कम प्रतिरोध, लंबे जीवनकाल के हीटिंग तत्व
SiC विद्युत हीटिंग तत्व मुख्य रूप से उच्च गुणवत्ता वाले ग्रीन सिलियम कार्बाइड से बने होते हैं,यह एक प्रकार का ट्यूबलर और गैर धातु उच्च तापमान विद्युत हीटिंग तत्व है जो अर्ध-तैयार उत्पाद के प्रसंस्करण द्वारा उत्पादित होता हैईडी श्रृंखला समान व्यास सिलिकॉन कार्बाइड रॉड पारंपरिक मोटी अंत सिलिकॉन कार्बाइड रॉड के उन्नत प्रतिस्थापन हैं।एक समान व्यास संरचना की विशेषता है, इन छड़ों प्रदान30% निचला अंत प्रतिरोधपारंपरिक मॉडलों की तुलना में, वे थर्मल तनाव को काफी कम करते हैं और सेवा जीवन को लंबा करते हैं।15-20% बिजली की बचत.
सीआईसी विद्युत ताप तत्व का व्यापक रूप से उच्च तापमान भट्टियों और चुंबकीय सामग्री, पाउडर धातु विज्ञान, सिरेमिक, कांच, धातु विज्ञान के अन्य विद्युत ताप उपकरण में उपयोग किया जाता है,मशीनरी और अन्य उद्योग.
| विशिष्ट गुरुत्व | 2.6-2.8 ग्राम/सेमी3 | झुकने की शक्ति | >300 किलोग्राम |
| हार्डने | >9 एमओएच | तन्य शक्ति | > 150 किलोग्राम/सेमी3 |
| छिद्रता दर | <30% | थर्मल विकिरण | 0.85 |
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तापमान (°C) |
रैखिक विस्तार गुणांक (10-6m/°C) |
ऊष्मा चालकता (kcal/Mgr °C) |
विशिष्ट ताप (कैलोरी/ग्राम °C) |
| 0 | / | / | 0.148 |
| 300 | 3.8 | / | / |
| 400 | / | / | 0.255 |
| 600 | 4.3 | 14-18 | / |
| 800 | / | / | 0.294 |
| 900 | 4.5 | / | / |
| 1100 | / | 12-16 | / |
| 1200 | 4.8 | / | 0.325 |
| 1300 | / | 10-14 | / |
| 1500 | 5.2 | / | / |
| वायुमंडल | ओवन तापमान ((°C) |
सतह भार (W/cm)2) |
तत्व पर प्रभाव | समाधान |
| अमोनिया | 1290 | 3.8 | सीआईसी पर कार्य करके सीआईओ को कम किया जाता है।2सुरक्षात्मक फिल्म | ओस बिंदु पर सक्रिय |
| CO2 | 1450 | 3.1 | तत्वों का क्षरण | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| ट्यूब18%CO | 1500 | 4.0 | कोई कार्रवाई नहीं | |
| 20% CO | 1370 | 3.8 | सीओ पर कार्य करने के लिए सी अनाज को अवशोषित करना2सुरक्षात्मक फिल्म | |
| हलोजन | 704 | 3.8 | सीआईसी पर हमला करना और सीआईओ को कम करना2सुरक्षात्मक फिल्म | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| हाइड्रोकार्बन | 1310 | 3.1 | सी अनाज को अवशोषित करने से गर्म प्रदूषण होता है | पर्याप्त हवा से भरना |
| हाइड्रोजन | 1290 | 3.1 | सीआईसी पर कार्य करके सीआईओ को कम किया जाता है।2सुरक्षात्मक फिल्म | ओस बिंदु पर सक्रिय |
| मिंटान | 1370 | 3.1 | सी अनाज को अवशोषित करने से गर्म प्रदूषण होता है | |
| एन | 1370 | 3.1 | SiC के साथ कार्य करने से SiN इन्सुलेटिंग परत बनती है | |
| ना | 1310 | 3.8 | तत्वों का क्षरण | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| SO2 | 1310 | 3.8 | तत्वों का क्षरण | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| वैक्यूम वायुमंडल | 1204 | 3.8 | ||
| ऑक्सीजन | 1310 | 3.8 | SiC ऑक्सीकृत है | |
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पानी (विभिन्न सामग्री) |
1090~1370 | 3.1~3.6 | SiC पर कार्य करने से सिलिकॉन का हाइड्रेट बनता है |
व्यक्ति से संपर्क करें: Ms. Yuki
दूरभाष: 8615517781293
