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제품 상세 정보:
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| 소재: | SIC | 구성 : sic: | >98% |
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| 색상: | 블랙 | 밀도: | ≥3.05g/cm3 |
| 맥스. 서비스 온도: | 1650C | 휨강도: | 380mpa |
| 구성 : sic: | >85% | 밀도: | ≥3.0g/cm3 |
| 맥스. 서비스 온도: | 1380C | 휨강도: | 250MPa |
| 크기: | 맞춤형 | 밀도: | 2.5 ～ 2.6 g/cm3 |
| 열전도: | 23.26 w/(m · ℃) | 저항률: | 1000 ～ 2000 Ω · mm2/m |
| 팽창 강도: | 39.2 9 49 MPa | 휨강도: | 70 ～ 90 MPa |
| 밀도: | 2.5 ~ 2.6g/cm³ | 맥스. 서비스 온도.: | 1500C |
| 휨강도: | 70-90MPa | 선형 열 팽창 계수 (20-1500 ℃): | 5 × 10 ℃ |
| 전기 저항: | 1000 ~ 2000Ω · mm²/m | ||
| 강조하다: | 산업용 발열체,산업용 SiC 히터 요소,ED형 발열체 |
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같은 지름의 실리콘 탄화탄 막대기 - 산업용 오븐용 저저항성, 장수용 난방 요소
SiC 전기 난방 요소는 주로 고품질의 녹색 실리온 탄화물로 만들어집니다.그것은 튜브와 비 금속 고 온도 전기 난방 요소의 종류입니다 반품 제품을 처리하는 msaking 생산, 고온 실리시피케이션, 재 결정화. ED 시리즈 동일 지름 실리콘 탄화탄 막대기 전통적인 두꺼운 종단 실리콘 탄화탄 막대기의 고급 대체입니다.균일 지름 구조를 특징으로, 이 막대기는30%의 하단 저항전통적인 모델보다 열압력을 크게 줄이고 서비스 수명을 연장합니다. 최대 1450°C의 고온 애플리케이션에 이상적입니다.15-20% 전력 절감.
SiC 전기 난방 요소는 고온 오븐과 다른 전력 난방 장비의 자기 물질, 분자 금속, 세라믹, 유리, 금속,기계 및 기타 산업.
| 특수 중력 | 20.6-2.8g/cm3 | 굽기 힘 | 300kg 이상 |
| 하드네 | >9 MOH의 | 팽창 강도 | >150kg/cm3 |
| 포러시티 비율 | <30% | 열방사광 | 0.85 |
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온도 (°C) |
선형 팽창 계수 (10-6m/°C) |
열전도성 (kcal/Mgr °C) |
특정 열 (칼리/g °C) |
| 0 | / | / | 0.148 |
| 300 | 3.8 | / | / |
| 400 | / | / | 0.255 |
| 600 | 4.3 | 14-18 | / |
| 800 | / | / | 0.294 |
| 900 | 4.5 | / | / |
| 1100 | / | 12-16 | / |
| 1200 | 4.8 | / | 0.325 |
| 1300 | / | 10-14 | / |
| 1500 | 5.2 | / | / |
| 대기권 | 오븐 온도 ((°C) |
표면 부하 (W/cm)2) |
원소 에 미치는 영향 | 해결책 |
| 암모니아 | 1290 | 3.8 | SiC에 작용하여 SiO를 감소시킵니다.2보호 필름 | 이슬점에서 활동 |
| CO2 | 1450 | 3.1 | 원소 침식 | 쿼츠 튜브로 보호 |
| 튜브18%CO | 1500 | 4.0 | 아무런 조치도 | |
| 20%CO | 1370 | 3.8 | C 곡물을 흡수하여 SiO에 작용합니다2보호 필름 | |
| 알로겐 | 704 | 3.8 | SiC를 공격하고 SiO를 감소시킵니다.2보호 필름 | 쿼츠 튜브로 보호 |
| 탄화수소 | 1310 | 3.1 | 흡수되는 C 곡물은 뜨거운 오염을 일으킨다 | 충분한 공기를 채우고 |
| 수소 | 1290 | 3.1 | SiC에 작용하여 SiO를 감소시킵니다.2보호 필름 | 이슬점에서 활동 |
| 멘탄 | 1370 | 3.1 | 흡수되는 C 곡물은 뜨거운 오염을 일으킨다 | |
| N | 1370 | 3.1 | SiC와 작용하여 SiN 절연층을 형성합니다. | |
| 네 | 1310 | 3.8 | 원소 침식 | 쿼츠 튜브로 보호 |
| SO2 | 1310 | 3.8 | 원소 침식 | 쿼츠 튜브로 보호 |
| 진공 대기 | 1204 | 3.8 | ||
| 산소 | 1310 | 3.8 | SiC는 산화되어 있습니다. | |
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물 (다양한 내용) |
1090~1370년 | 30.1~3.6 | SiC에 작용하여 실리콘의 하이드레이트를 형성합니다. |
담당자: Ms. Yuki
전화 번호: 8615517781293
