logo
Welkom bij Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
8616602956098
Huis / Producten / Siliciumcarbide keramiek / Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage
Kwaliteit Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage fabriek
Kwaliteit Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage fabriek
Kwaliteit Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage fabriek
Kwaliteit Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage fabriek
Kwaliteit Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage fabriek
Kwaliteit Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage fabriek

Hittebestendige SiC-vorken met een maximale gebruikstemperatuur van 1650°C en een buigsterkte van 3800 MPa voor de halfgeleiderfabricage

Basis eigenschappen
Plaats van herkomst: China
Merknaam: KEGU
Modelnummer: Aanpasbaar
Handelsgoederen
Minimale bestelhoeveelheid: Bespreekbaar
Prijs: Onderhandelbaar
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Tags

Siliciumcarbide keramiek

Drukloos Gesinterd SIC

Sic Keramiek
Productoverzicht
Hoogtemperatuurbestendige SiC-vorken Precision Core Components voor de vervaardiging van halfgeleiders Hoogtemperatuurbestendige siliconcarbide (SiC) -vorken, ook bekend als drukloze gesinterde SiC-robotarmen, zijn een doorbraak in de materiaalwetenschappen voor precisie-automatisering.Gemaakt met ...

Productdetails

Markeren:

Drukloos gesinterde SIC vork

,

Lichtgewicht gesinterde SIC vork

,

SIC vork bestand tegen hoge temperaturen
Material: Sic
Composition:SiC: > 98%
Color: Zwart
Density: > 3.05 g/cm3
Max. Service Temp: 1650 ° C
Flexural Strength: 3800Mpa
Usage: Gebruik van de industrie
Chemical Composition: Al2O3, SiO2
Sic Content: 85%
Maximum Temperature: 1600 ℃
Characteristics: Hoge slijtvastheid
Thermal Expansion Coefficient: 4,0-4,5 × 10^-6/K
Material Composition: 4%Si >96%Si
Working Temperature: 1650
Advantage: Slijtage- en slijtvastheid
Purity: 98%
Material: siliciumcarbide keramiek
Acid Alkaline Proof: Uitstekend
Solubility: Onoplosbaar
Open Porosity: <0,1%
Flexural Strength: 350 tot 550 MPa
Productomschrijving
Hoogtemperatuurbestendige SiC-vorken
Precision Core Components voor de vervaardiging van halfgeleiders
Hoogtemperatuurbestendige siliconcarbide (SiC) -vorken, ook bekend als drukloze gesinterde SiC-robotarmen, zijn een doorbraak in de materiaalwetenschappen voor precisie-automatisering.Gemaakt met behulp van geavanceerde drukloze sintertechnologieDeze vork biedt een ongeëvenaarde prestatie in de meest veeleisende omgevingen voor de productie van halfgeleiders.
Belangrijkste eigenschappen en voordelen
  • Extreme temperatuurtemperatuur:Bestaat bestand tegen werktemperaturen tot 1650°C in de lucht, waardoor de structurele integriteit in hoogtemperatuurprocessen behouden blijft.
  • Mechanische sterkte:Met een hoge buigsterkte (320-400 MPa) bij kamertemperatuur tot 1300°C zorgt het voor betrouwbare prestaties onder zware belastingen.
  • Uitzonderlijk warmtebeheer:Biedt uitstekende thermische geleidbaarheid (196 W/m*K bij 20°C) gecombineerd met lage thermische uitbreiding (4,0 x 10−6/K), waardoor uitstekende thermische schokbestendigheid (> 350°C) wordt geboden.
  • Maximale duurzaamheid:De ultrahoge hardheid (2350 kg/mm2 Vickers) en de nagenoeg nul open porositeit zorgen voor uitzonderlijke slijtvastheid en langdurige betrouwbaarheid in schuuromgevingen.
  • Geoptimaliseerd voor precisie:Een hoge elastisiteitsmodule (410 GPa) en een stijf lichtgewicht ontwerpen zorgen voor minimale afbuiging en een hoge precisie bij het hanteren van gevoelige substraten zoals siliciumwafers.
Technische specificaties
Fysieke eigenschappen Eenheid Waarde (SSiC)
Samenstelling: SiC Vol% ≥ 98
Dichtheid @ 20 °C g/cm3 ≥ 3.05
Open porositeit Vol% ≈0
Vickers Hardheid HV1 in kg/mm2 2350
Rockwellhardheid 45N R45N 93
Buigkracht @ 20°C MPa 320 tot 400
Buigsterkte @ 1300°C MPa 300 tot 400
Thermische geleidbaarheid @ 20°C W*m-1*K-1 196
Thermische geleidbaarheid @ 1200°C W*m-1*K-1 60
Max. Service Temperatuur (lucht) °C 1650
Thermische schokbestendigheid °C > 350
Coëfficiënt van thermische uitbreiding 10−6/K 4.0
Elasticiteitsmodule @ RT GPa 410
Critische toepassingsgebieden
  • Vervaardiging van halfgeleiders:Ideaal voor waferhantering, -overdracht en -verwerking in CVD, LPCVD, diffusieovens en andere hoogtemperatuurapparatuur
  • Geavanceerde thermische verwerking:Essentiële onderdelen voor industriële hoogtemperatuurovens en warmtebehandelingssystemen
  • Luchtvaart en defensie:Critische onderdelen die thermische stabiliteit en lichte duurzaamheid vereisen
  • Kernenergiesystemen:Componenten voor stralings- en hoogtemperatuuromgevingen
  • Precision Automation:Robotarmen en eindeffectoren voor cleanroom- en ruwe omgevingstoepassingen
Prestatievoordelen
  • Vermindering van deeltjesopwekking en verontreiniging in cleanroomomgevingen
  • Minimale thermische vervorming voor nauwkeurige positioneringsnauwkeurigheid
  • Verlengde levensduur in vergelijking met alternatieven voor kwarts en grafiet
  • Verminderde onderhoudsstoptijden en verhoogde productie
  • Uitstekende weerstand tegen chemische corrosie door procesgassen en reinigingsmiddelen
Deze SiC-vorken zijn speciaal ontworpen om de procesbetrouwbaarheid en -opbrengst te verbeteren in precisieproductie toepassingen waar extreme temperaturen, chemische weerstand,en mechanische stabiliteit zijn cruciale prestatiefactoren.

Miss. Scarlett.S

Deputy Head of Foreign Trade Department

Gerelateerde producten

Stuur een aanvraag