Forchette SiC resistenti alle alte temperature con temperatura di servizio massima di 1650°C e resistenza flessibile di 3800MPa per la produzione di semiconduttori
Proprietà di base
Luogo d'origine:
Cina
Marchio:
KEGU
Numero di modello:
Personalizzabile
Proprietà Commerciali
Quantità minima di ordine:
Negoziabile
Prezzo:
Negoziabile
Termini di pagamento:
L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Riepilogo Prodotto
Forchette SiC resistenti alle alte temperature Componenti di base di precisione per la produzione di semiconduttori Le forcelle a carburo di silicio (SiC) resistenti alle alte temperature, conosciute anche come braccia robotiche sinterizzate SiC senza pressione, rappresentano una svolta nella ...
Dettagli del prodotto
Evidenziare:
Forcella in SIC sinterizzato senza pressione
,Forcella in SIC sinterizzato leggero
,Forcella in SIC resistente alle alte temperature
Material:
Sic
Composition:SiC:
> 98%
Color:
Nero
Density:
> 3.05G/cm3
Max. Service Temp:
1650 ° C.
Flexural Strength:
3800Mpa
Usage:
Utilizzo del settore
Chemical Composition:
Al2O3, SiO2
Sic Content:
85%
Maximum Temperature:
1600 ℃
Characteristics:
Elevata resistenza all'usura
Thermal Expansion Coefficient:
4,0-4,5 × 10^-6 /K
Material Composition:
4%Si >96%Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
Resistenza all'usura e all'abrasione
Purity:
98%
Material:
ceramiche a carburo di silicio
Acid Alkaline Proof:
Eccellente
Solubility:
Insolubile
Open Porosity:
<0,1%
Flexural Strength:
350-550 MPa
Descrizione di prodotto
Forchette SiC resistenti alle alte temperature
Componenti di base di precisione per la produzione di semiconduttori
Le forcelle a carburo di silicio (SiC) resistenti alle alte temperature, conosciute anche come braccia robotiche sinterizzate SiC senza pressione, rappresentano una svolta nella scienza dei materiali per l'automazione di precisione.Progettato utilizzando una tecnologia avanzata di sinterizzazione senza pressione, queste forchette offrono prestazioni senza pari negli ambienti di produzione dei semiconduttori più esigenti.
Proprietà e vantaggi chiave
- Resistenza alle temperature estreme:Sopporta temperature di funzionamento fino a 1650°C in aria, mantenendo l'integrità strutturale nei processi ad alta temperatura.
- Resistenza meccanica superiore:Dispone di elevata resistenza alla flessione (320-400 MPa) a temperatura ambiente fino a 1300°C, garantendo prestazioni affidabili sotto carichi pesanti.
- Gestione termica eccezionale:Offre un'eccezionale conducibilità termica (196 W/m*K a 20°C) combinata con una bassa espansione termica (4.0 x 10−6/K), fornendo un'eccellente resistenza allo shock termico (> 350°C).
- Durabilità massima:La durezza ultra elevata (2350 kg/mm2 Vickers) e la porosità aperta quasi zero garantiscono una resistenza all'usura eccezionale e un'affidabilità a lungo termine in ambienti abrasivi.
- Ottimizzato per la precisione:L'elevato modulo di elasticità (410 GPa) e la rigidità del design leggero consentono una flessione minima e una manipolazione di alta precisione di substrati sensibili come i wafer di silicio.
Specifiche tecniche
| Proprietà fisiche | Unità | Valore (SSiC) |
|---|---|---|
| Composizione: SiC | Vol% | ≥ 98 |
| Densità @ 20 °C | g/cm3 | ≥ 3.05 |
| Porosità aperta | Vol% | ≈0 |
| Vickers Durezza HV1 | kg/mm2 | 2350 |
| Durezza Rockwell 45N | R45N | 93 |
| Resistenza flessibile @ 20°C | MPa | 320-400 |
| Resistenza alla flessione @ 1300°C | MPa | 300-400 |
| Conduttività termica @ 20°C | W*m-1*K-1 | 196 |
| Conduttività termica @ 1200°C | W*m-1*K-1 | 60 |
| Temperatura di funzionamento massima (aria) | °C | 1650 |
| Resistenza agli urti termici | °C | > 350 |
| Coefficiente di espansione termica | 10−6/K | 4.0 |
| Modulo di elasticità @ RT | GPa | 410 |
Aree di applicazione critiche
- Fabbricazione di semiconduttori:Ideale per la movimentazione, il trasferimento e la lavorazione dei wafer in forni a diffusione e altre apparecchiature ad alta temperatura
- Processo termico avanzato:Componenti essenziali per forni industriali ad alta temperatura e sistemi di trattamento termico
- Aerospaziale e Difesa:Parti critiche che richiedono stabilità termica e leggerezza
- Sistemi di energia nucleare:Componenti per ambienti a radiazioni elevate e ad alte temperature
- Automazione di precisione:Armi e effettivi terminali robotizzati per applicazioni in ambienti aspri e in ambienti puliti
Benefici per le prestazioni
- Riduzione della produzione di particelle e della contaminazione negli ambienti delle stanze pulite
- Deformazione termica minima per una precisione del posizionamento
- Vita di servizio prolungata rispetto alle alternative al quarzo e al grafite
- Riduzione dei tempi di fermo di manutenzione e aumento della produttività
- Ottima resistenza alla corrosione chimica dei gas di processo e degli agenti di pulizia
Queste forchette SiC sono state progettate specificamente per migliorare l'affidabilità del processo e la resa nelle applicazioni di produzione di precisione in cui le temperature estreme, la resistenza chimica,e la stabilità meccanica sono fattori critici delle prestazioni.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- Email: scarlett.s@kegugroup.com
- Telefono: 8616602956098
- WhatsApp: 8613390790728
-
WeChat:
Scarlettseren533
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