Plateau de carbure de silicium et support de gaufre SiC avec température de service maximale de 1650 °C, haute conductivité thermique et résistance au plasma et à la corrosion pour la gravure ICP
Propriétés de base
Lieu d'origine:
Chine
Nom de la marque:
KEGU
Numéro de modèle:
Personnalisable
Propriétés commerciales
Quantité minimum de commande:
Négociable
Prix:
Négociable
Conditions de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Résumé du produit
Plateaux et plateaux en carbure de silicium (SiC): supports de gaufres haute performance pour l'incision ICP dans la fabrication de LED Les plateaux et les plateaux en carbure de silicium (SiC) sont des supports de plaquettes de précision conçus spécifiquement pour les processus de gravure au plasma ...
Détails de produit
Mettre en évidence:
Porte-plaquette SiC pour gravure ICP
,Plaque en carbure de silicium pour porte-plaquette
,Plaque SiC pour l'industrie des LED
Material:
Sic
Composition:SiC:
> 98%
Color:
Noir
Density:
> 3,05g / cm3
Max. Service Temp:
1650 ° C
Flexural Strength:
380MPA
Usage:
Utilisation de l'industrie
Chemical Composition:
Al2O3, SiO2
Sic Content:
85%
Maximum Temperature:
1600 ℃
Characteristics:
Haute résistance à l'usure
Thermal Expansion Coefficient:
4,0-4,5 × 10^-6 /K
Material Composition:
4%Si >96%Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
Résistance à l'usure et à l'abrasion
Purity:
98%
Material:
céramique au carbure de silicium
Acid Alkaline Proof:
Excellent
Solubility:
Insoluble
Open Porosity:
<0,1%
Flexural Strength:
350 à 550 MPa
Description de produit
Plateaux et plateaux en carbure de silicium (SiC): supports de gaufres haute performance pour l'incision ICP dans la fabrication de LED
Les plateaux et les plateaux en carbure de silicium (SiC) sont des supports de plaquettes de précision conçus spécifiquement pour les processus de gravure au plasma couplé par induction (ICP) dans l'industrie des LED.Le SiC se distingue comme un matériau supérieur en raison de sa gestion thermique exceptionnelle, résistance à la corrosion exceptionnelle et stabilité mécanique remarquable à des températures extrêmes.
Principaux avantages matériels
- Conductivité thermique supérieure:Pour une dissipation de chaleur efficace et une répartition uniforme de la température sur la gaufre
- Résistance exceptionnelle au plasma et à la corrosion:Résiste aux environnements chimiques difficiles et aux chocs plasmatiques pour une durée de vie prolongée
- Résistance mécanique élevée à des températures élevées:Maintient l'intégrité structurelle et la stabilité dimensionnelle sous des charges thermiques élevées
- Faible expansion thermique:Réduit au minimum le risque de déformation ou de contrainte sur les plaquettes pendant le cycle thermique
Propriétés du carbure de silicium (SiC)
| Les biens immobiliers | Valeur |
|---|---|
| Formule composée | SiC |
| Poids moléculaire | 40.1 |
| Apparence | Noir |
| Point de fusion | 2,730 °C (décompose) |
| Densité | 30,0 à 3,2 g/cm3 |
| Résistance électrique | 1 - 4 x 101 Ω*m |
| Le rapport de Poisson | 0.15 contre 0.21 |
| Température spécifique | 670 à 1180 J/kg*K |
Spécifications comparatives: types de plateaux en SiC
| Le type | SiC recristallisé | SiC sintré | SiC lié par réaction |
|---|---|---|---|
| La pureté | > 99,5% | > 98% | > 88% |
| Max, un employé temporaire. | 1650 °C | 1550 °C | 1300 °C |
| Densité en vrac (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | > 3.0 |
| Porosité apparente | < 15% | < 2,5% | < 0,1% |
| Résistance à la flexion (MPa) | 110 | 400 | 380 |
| Résistance à la compression (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
| Expansion thermique (10−6/°C) | 4.6 (à 1200°C) | 4.0 (à < 500°C) | 4.4 (à < 500°C) |
| Conductivité thermique (W/m*K) | 35 - 36 | 110 | 65 |
| Caractéristiques principales | Résistance à haute température, haute pureté | Haute résistance à la fracture | Excellente résistance aux produits chimiques |
Caractéristiques essentielles pour la gravure ICP
- Excellente conductivité thermique:Assure un transfert de chaleur rapide et minimise les gradients thermiques
- Résistance supérieure au choc plasma:Garantit la durabilité à long terme et la cohérence du processus
- Excellente homogénéité de température:Critical pour atteindre des taux d'écorchage uniformes et des performances élevées de l'appareil sur l'ensemble de la plaque
Applications principales
- Pour le traitement des semi-conducteurs:Idéal comme support de plaquette, comme récepteur et comme fixation de processus dans les cas de maladie cardiovasculaire, de maladie cardiaque et d'épitaxie
- Fabrication de LED:Largement utilisé comme support de plaquette robuste et fiable pour les procédés de gravure ICP dans la production de diodes électroluminescentes
- Couches et composants avancés:Convient à diverses applications industrielles nécessitant une grande stabilité thermique et chimique
Nous fournissons une gamme complète de plateaux, de plaques et d'autres composants SiC spécialisés en carbure de silicium de taille standard et personnalisée pour répondre aux besoins précis des industries des semi-conducteurs et des LED.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- Email: scarlett.s@kegugroup.com
- Téléphone: 8616602956098
- Je suis désolé.: 8613390790728
-
Wechat:
Scarlettseren533
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