실리콘 탄화물 트레이 & SiC 웨이퍼 홀더 1650 °C 최대 서비스 온도, 높은 열 전도성, ICP 에치링을위한 플라즈마 및 경화 저항
기본 특성
원산지:
중국
브랜드 이름:
KEGU
모델 번호:
맞춤형
부동산 거래
최소 주문 수량:
협상 가능
가격:
협상 가능
지불 조건:
L/C,D/A,D/P,T/T,웨스턴 유니온,
제품 요약
탄화규소(SiC) 트레이 및 플레이트: LED 제조의 ICP 식각을 위한 고성능 웨이퍼 홀더 탄화규소(SiC) 트레이 및 플레이트는 LED 산업 내 유도 결합 플라즈마(ICP) 식각 공정을 위해 특별히 설계된 정밀 엔지니어링 웨이퍼 캐리어입니다. SiC는 뛰어난 열 관리, 뛰어난 내식성, 극한 온도에서의 놀라운 기계적 안정성으로 인해 우수한 재료로 돋보입니다. 주요 재료 장점 뛰어난 열 전도성: 웨이퍼 전체에 걸쳐 효율적인 열 분산 및 균일한 온도 분포를 위해 탁월한 플라즈마 및 내식성: 연장된 수명을 위해 가혹한 화학 환경 및 플...
제품 상세정보
강조하다:
Icp 에칭 웨이퍼 홀더 시크 플레이트
,웨이퍼 홀더 실리콘 카바이드 플레이트
,LED 산업 시크 플레이트
Material:
sic
Composition:SiC:
> 98%
Color:
검은색
Density:
> 3.05g/cm3
Max. Service Temp:
1650 ° C
Flexural Strength:
380mpa
Usage:
산업 사용
Chemical Composition:
Al2O3, SiO2
Sic Content:
85%
Maximum Temperature:
1600 ℃
Characteristics:
높은 내마모성
Thermal Expansion Coefficient:
4.0-4.5 × 10^-6 /K
Material Composition:
4%Si >96%Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
마모 및 마모 저항
Purity:
98%
Material:
실리콘카바이드 세라믹
Acid Alkaline Proof:
훌륭한
Solubility:
불용성
Open Porosity:
<0.1%
Flexural Strength:
350~550MPa
제품 설명
탄화규소(SiC) 트레이 및 플레이트: LED 제조의 ICP 식각을 위한 고성능 웨이퍼 홀더
탄화규소(SiC) 트레이 및 플레이트는 LED 산업 내 유도 결합 플라즈마(ICP) 식각 공정을 위해 특별히 설계된 정밀 엔지니어링 웨이퍼 캐리어입니다. SiC는 뛰어난 열 관리, 뛰어난 내식성, 극한 온도에서의 놀라운 기계적 안정성으로 인해 우수한 재료로 돋보입니다.
주요 재료 장점
- 뛰어난 열 전도성: 웨이퍼 전체에 걸쳐 효율적인 열 분산 및 균일한 온도 분포를 위해
- 탁월한 플라즈마 및 내식성: 연장된 수명을 위해 가혹한 화학 환경 및 플라즈마 충격에 견딤
- 고온에서의 높은 기계적 강도: 고온 부하에서 구조적 무결성 및 치수 안정성 유지
- 낮은 열팽창: 열 사이클링 중 웨이퍼의 뒤틀림 또는 응력 위험 최소화
탄화규소(SiC) 재료 특성
| 속성 | 값 |
|---|---|
| 화합물 공식 | SiC |
| 분자량 | 40.1 |
| 외관 | 검정색 |
| 융점 | 2,730 °C (분해) |
| 밀도 | 3.0 - 3.2 g/cm³ |
| 전기 저항 | 1 - 4 x 10¹ Ω*m |
| 푸아송 비 | 0.15 - 0.21 |
| 비열 | 670 - 1180 J/kg*K |
비교 사양: SiC 트레이 유형
| 유형 | 재결정 SiC | 소결 SiC | 반응 결합 SiC |
|---|---|---|---|
| 순도 | > 99.5% | > 98% | > 88% |
| 최대 작동 온도 | 1650 °C | 1550 °C | 1300 °C |
| 벌크 밀도 (g/cm³) | 2.7 | 3.1 | > 3.0 |
| 겉보기 기공률 | < 15% | < 2.5% | < 0.1% |
| 굴곡 강도 (MPa) | 110 | 400 | 380 |
| 압축 강도 (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
| 열팽창 (10⁻⁶/°C) | 4.6 (at 1200°C) | 4.0 (at <500°C) | 4.4 (at <500°C) |
| 열 전도율 (W/m*K) | 35 - 36 | 110 | 65 |
| 주요 특징 | 고온 저항, 고순도 | 높은 파괴 인성 | 우수한 내화학성 |
ICP 식각을 위한 주요 특징
- 우수한 열 전도성: 빠른 열 전달을 보장하고 열 구배를 최소화합니다.
- 플라즈마 충격에 대한 우수한 저항성: 장기적인 내구성과 공정 일관성을 보장합니다.
- 우수한 온도 균일성: 전체 웨이퍼에서 균일한 식각 속도와 높은 장치 성능을 달성하는 데 중요합니다.
주요 응용 분야
- 반도체 공정: CVD, MOCVD 및 에피택시에서 웨이퍼 캐리어, 서셉터 및 공정 고정 장치로 이상적입니다.
- LED 제조: 발광 다이오드 생산에서 ICP 식각 공정을 위한 견고하고 신뢰할 수 있는 웨이퍼 홀더로 널리 사용됩니다.
- 고급 코팅 및 구성 요소: 높은 열 및 화학적 안정성이 필요한 다양한 산업 응용 분야에 적합합니다.
당사는 반도체 및 LED 산업의 정확한 요구 사항을 충족하기 위해 광범위한 표준 및 맞춤형 크기의 탄화규소 트레이, 플레이트 및 기타 특수 SiC 구성 요소를 공급합니다.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- 이메일: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
- 왓츠앱: 8613390790728
-
웨이 채팅:
Scarlettseren533
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