Envases de carburo de silicio y portadores de obleas de SiC con temperatura de servicio máxima de 1650 °C, alta conductividad térmica y resistencia al plasma y a la corrosión para el grabado ICP
Propiedades básicas
Lugar de origen:
China
Nombre de la marca:
KEGU
Número de modelo:
Personalizable
Propiedades comerciales
Cantidad mínima de pedido:
Negociable
Precio:
Negociable
Condiciones de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Resumen del producto
Tableros y placas de carburo de silicio (SiC): soportes de obleas de alto rendimiento para grabado ICP en la fabricación de LED Las bandejas y placas de carburo de silicio (SiC) son portadores de obleas de ingeniería de precisión diseñados específicamente para procesos de grabado de plasma acoplado ...
Detalles del producto
Resaltar:
Placa SiC para porta obleas de grabado ICP
,Placa de carburo de silicio para porta obleas
,Placa SiC para la industria LED
Material:
Sic
Composition:SiC:
> 98%
Color:
Negro
Density:
> 3.05g/cm3
Max. Service Temp:
1650 ° C
Flexural Strength:
380MPA
Usage:
Uso de la industria
Chemical Composition:
Al2O3, SiO2
Sic Content:
85%
Maximum Temperature:
1600 ℃
Characteristics:
Alta resistencia al desgaste
Thermal Expansion Coefficient:
4,0-4,5 × 10^-6/K
Material Composition:
4%Si >96%Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
Resistencia al desgaste y a la abrasión
Purity:
98%
Material:
cerámica de carburo de silicio
Acid Alkaline Proof:
Excelente
Solubility:
Insoluble
Open Porosity:
<0,1%
Flexural Strength:
350 a 550 MPa
Descripción de producto
Tableros y placas de carburo de silicio (SiC): soportes de obleas de alto rendimiento para grabado ICP en la fabricación de LED
Las bandejas y placas de carburo de silicio (SiC) son portadores de obleas de ingeniería de precisión diseñados específicamente para procesos de grabado de plasma acoplado inductivamente (ICP) dentro de la industria de LED.El SiC se destaca como un material superior debido a su excepcional manejo térmico, excelente resistencia a la corrosión y notable estabilidad mecánica a temperaturas extremas.
Ventajas clave del material
- Conductividad térmica superior:Para una disipación de calor eficiente y una distribución uniforme de la temperatura en toda la oblea
- Resistencia excepcional al plasma y a la corrosión:Resiste ambientes químicos agresivos y choque de plasma para una vida útil prolongada
- Alta resistencia mecánica a temperaturas elevadas:Mantiene la integridad estructural y la estabilidad dimensional bajo altas cargas térmicas
- Baja expansión térmica:Minimiza el riesgo de deformación o tensión en las obleas durante el ciclo térmico
Propiedades del carburo de silicio (SiC)
| Propiedad | Valor |
|---|---|
| Formulación compuesta | Seco |
| Peso molecular | 40.1 |
| Apariencia | Negro |
| Punto de fusión | 2,730 °C (se descompone) |
| Densidad | 3.0 - 3,2 g/cm3 |
| Resistencia eléctrica | 1 - 4 x 101 Ω*m |
| La proporción de Poisson | 0.15 a 0.21 |
| Calor específico | 670 - 1180 J/kg*K |
Especificaciones comparativas: Tipos de bandejas de SiC
| El tipo | SiC recristalizado | SiC sinterizado | SiC enlazado por reacción |
|---|---|---|---|
| La pureza | > 99,5% | > 98 por ciento | > 88% |
| Trabajo temporal. | 1650 °C | 1550 °C | 1300 °C |
| Densidad a granel (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | > 3.0 |
| Porosidad aparente | < 15% | < 2,5% | < 0,1% |
| Resistencia a la flexión (MPa) | 110 | 400 | 380 |
| Resistencia a la compresión (MPa) | En el caso de las entidades de crédito | 2200 | 2100 |
| Expansión térmica (10−6/°C) | 4.6 (a 1200 °C) | 4.0 (a menos de 500 °C) | 4.4 (a menos de 500 °C) |
| Conductividad térmica (W/m*K) | 35 - 36 | 110 | 65 |
| Características principales | Resistencia a altas temperaturas, alta pureza | Alta resistencia a las fracturas | Excelente resistencia a las sustancias químicas |
Características críticas para el grabado ICP
- Excelente conductividad térmica:Asegura una rápida transferencia de calor y minimiza los gradientes térmicos
- Resistencia superior al choque de plasma:Garantiza la durabilidad a largo plazo y la coherencia del proceso
- Excelencia en la uniformidad de temperatura:Critical para lograr tasas de grabado uniformes y alto rendimiento del dispositivo en toda la oblea
Aplicaciones principales
- Procesamiento de semiconductores:Ideal como portadores de obleas, susceptores y accesorios de proceso en CVD, MOCVD y epitaxia
- Fabricación de LED:Ampliamente utilizado como soportes de obleas robustos y confiables para procesos de grabado ICP en la producción de diodos emisores de luz
- Recubrimientos y componentes avanzados:Apto para diversas aplicaciones industriales que requieren una alta estabilidad térmica y química
Suministramos una gama completa de bandejas, placas y otros componentes SiC especializados de carburo de silicio de tamaño estándar y personalizado para satisfacer las necesidades precisas de las industrias de semiconductores y LED.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- Correo electrónico: scarlett.s@kegugroup.com
- Teléfono: 8616602956098
- whatsapp: 8613390790728
-
El Wechat:
Scarlettseren533
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