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Casa / prodotti / Ceramiche al carburo di silicio / Vassoio in carburo di silicio e supporto wafer SiC con temperatura di servizio massima di 1650°C, elevata conducibilità termica e resistenza al plasma e alla corrosione per l'incisione ICP
Qualità Vassoio in carburo di silicio e supporto wafer SiC con temperatura di servizio massima di 1650°C, elevata conducibilità termica e resistenza al plasma e alla corrosione per l'incisione ICP fabbrica
Qualità Vassoio in carburo di silicio e supporto wafer SiC con temperatura di servizio massima di 1650°C, elevata conducibilità termica e resistenza al plasma e alla corrosione per l'incisione ICP fabbrica
Qualità Vassoio in carburo di silicio e supporto wafer SiC con temperatura di servizio massima di 1650°C, elevata conducibilità termica e resistenza al plasma e alla corrosione per l'incisione ICP fabbrica
Qualità Vassoio in carburo di silicio e supporto wafer SiC con temperatura di servizio massima di 1650°C, elevata conducibilità termica e resistenza al plasma e alla corrosione per l'incisione ICP fabbrica

Vassoio in carburo di silicio e supporto wafer SiC con temperatura di servizio massima di 1650°C, elevata conducibilità termica e resistenza al plasma e alla corrosione per l'incisione ICP

Proprietà di base
Luogo d'origine: Cina
Marchio: KEGU
Numero di modello: Personalizzabile
Proprietà Commerciali
Quantità minima di ordine: Negoziabile
Prezzo: Negoziabile
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Tag

Ceramiche al carburo di silicio

SIC sinterizzato senza pressione

Sic ceramica
Riepilogo Prodotto
Vassoi e Piastre in Carburo di Silicio (SiC): Supporti per Wafer ad Alte Prestazioni per l'Incisione ICP nella Produzione di LED I vassoi e le piastre in Carburo di Silicio (SiC) sono supporti per wafer progettati con precisione, specificamente per i processi di incisione al plasma a induzione (ICP) ...

Dettagli del prodotto

Evidenziare:

Porta wafer Sic per incisione ICP

,

Piastra in carburo di silicio per porta wafer

,

Piastra Sic per l'industria dei LED
Material: Sic
Composition:SiC: > 98%
Color: Nero
Density: > 3.05G/cm3
Max. Service Temp: 1650 ° C.
Flexural Strength: 380MPA
Usage: Utilizzo del settore
Chemical Composition: Al2O3, SiO2
Sic Content: 85%
Maximum Temperature: 1600 ℃
Characteristics: Elevata resistenza all'usura
Thermal Expansion Coefficient: 4,0-4,5 × 10^-6 /K
Material Composition: 4%Si >96%Sic
Working Temperature: 1650
Advantage: Resistenza all'usura e all'abrasione
Purity: 98%
Material: ceramiche a carburo di silicio
Acid Alkaline Proof: Eccellente
Solubility: Insolubile
Open Porosity: <0,1%
Flexural Strength: 350-550 MPa
Descrizione di prodotto
Vassoi e Piastre in Carburo di Silicio (SiC): Supporti per Wafer ad Alte Prestazioni per l'Incisione ICP nella Produzione di LED
I vassoi e le piastre in Carburo di Silicio (SiC) sono supporti per wafer progettati con precisione, specificamente per i processi di incisione al plasma a induzione (ICP) nell'industria dei LED. Il SiC si distingue come materiale superiore grazie alla sua eccezionale gestione termica, all'eccezionale resistenza alla corrosione e alla notevole stabilità meccanica a temperature estreme.
Vantaggi Chiave del Materiale
  • Conduttività Termica Superiore: Per una dissipazione efficiente del calore e una distribuzione uniforme della temperatura sul wafer
  • Eccezionale Resistenza al Plasma e alla Corrosione: Resiste ad ambienti chimici aggressivi e agli shock da plasma per una maggiore durata
  • Elevata Resistenza Meccanica a Temperature Elevate: Mantiene l'integrità strutturale e la stabilità dimensionale sotto carichi termici elevati
  • Bassa Espansione Termica: Minimizza il rischio di deformazioni o sollecitazioni sui wafer durante i cicli termici
Proprietà del Materiale Carburo di Silicio (SiC)
Proprietà Valore
Formula Chimica SiC
Peso Molecolare 40.1
Aspetto Nero
Punto di Fusione 2.730 °C (si decompone)
Densità 3.0 - 3.2 g/cm³
Resistività Elettrica 1 - 4 x 10¹ Ω*m
Coefficiente di Poisson 0.15 - 0.21
Calore Specifico 670 - 1180 J/kg*K
Specifiche Comparative: Tipi di Vassoi in SiC
Tipo SiC Ricristallizzato SiC Sinterizzato SiC Reazione Legata
Purezza > 99.5% > 98% > 88%
Temperatura Massima di Esercizio 1650 °C 1550 °C 1300 °C
Densità Apparente (g/cm³) 2.7 3.1 > 3.0
Porosità Apparente < 15% < 2.5% < 0.1%
Resistenza alla Flessione (MPa) 110 400 380
Resistenza alla Compressione (MPa) > 300 2200 2100
Espansione Termica (10⁻⁶/°C) 4.6 (a 1200°C) 4.0 (a <500°C) 4.4 (a <500°C)
Conducibilità Termica (W/m*K) 35 - 36 110 65
Caratteristiche Principali Resistenza alle Alte Temperature, Elevata Purezza Elevata Tenacità alla Frattura Eccellente Resistenza Chimica
Caratteristiche Critiche per l'Incisione ICP
  • Eccellente Conducibilità Termica: Assicura un rapido trasferimento di calore e minimizza i gradienti termici
  • Resistenza Superiore agli Shock da Plasma: Garantisce durata a lungo termine e coerenza del processo
  • Eccellente Uniformità della Temperatura: Fondamentale per ottenere velocità di incisione uniformi e alte prestazioni del dispositivo su tutto il wafer
Applicazioni Principali
  • Lavorazione dei Semiconduttori: Ideale come supporti per wafer, suscettori e dispositivi di processo in CVD, MOCVD ed epitassia
  • Produzione di LED: Ampiamente utilizzato come supporti per wafer robusti e affidabili per i processi di incisione ICP nella produzione di diodi a emissione luminosa
  • Rivestimenti e Componenti Avanzati: Adatto per varie applicazioni industriali che richiedono elevata stabilità termica e chimica
Forniamo una gamma completa di vassoi, piastre e altri componenti speciali in Carburo di Silicio di dimensioni standard e personalizzate per soddisfare le esigenze precise delle industrie dei semiconduttori e dei LED.

Miss. Scarlett.S

Deputy Head of Foreign Trade Department

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