Silikon Karbid Tepsisi ve SiC Wafer Sahibi, 1650°C Maksimum Servis Sıcağı, Yüksek Isı İleticiliği ve Plasma ve Korozyona Direnci ile ICP Çizimi için
Temel Özellikler
Menşe Yeri:
Çin
Marka Adı:
KEGU
Model Numarası:
Özelleştirilebilir
Ticaret Mülkleri
Minimum Sipariş Miktarı:
Pazarlık edilebilir
Fiyat:
pazarlık edilebilir
Ödeme Koşulları:
L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Ürün Özetleri
Silikon Karbid (SiC) Tepsiler ve Plaklar: LED Üretiminde ICP Etching için Yüksek Performanslı Wafer Sahipleri Silikon Karbid (SiC) tepsiler ve plakalar, özellikle LED endüstrisinde endüksiyonla birleştirilmiş plazma (ICP) kazım süreçleri için tasarlanmış hassas mühendislik wafer taşıyıcılarıdır.SiC, ...
Ürün Ayrıntıları
Vurgulamak:
Icp Etching Wafer Holder Sic Plate
,Wafer tutucu silikon karbid plaka
,Led Endüstri Sic Plate
Material:
Sic
Composition:SiC:
>% 98
Color:
Siyah
Density:
> 3.05g/cm3
Max. Service Temp:
1650 ° C
Flexural Strength:
380mpa
Usage:
Endüstri kullanımı
Chemical Composition:
Al2O3, SiO2
Sic Content:
%85
Maximum Temperature:
1600 ℃
Characteristics:
Yüksek aşınma direnci
Thermal Expansion Coefficient:
4,0-4,5 × 10^-6 /K
Material Composition:
%4Si >%96Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
Aşınma ve aşınma direnci
Purity:
%98
Material:
silisyum karbür seramik
Acid Alkaline Proof:
Harika
Solubility:
Çözünmez
Open Porosity:
<%0,1
Flexural Strength:
350-550 MPa
Ürün Tanımı
Silikon Karbid (SiC) Tepsiler ve Plaklar: LED Üretiminde ICP Etching için Yüksek Performanslı Wafer Sahipleri
Silikon Karbid (SiC) tepsiler ve plakalar, özellikle LED endüstrisinde endüksiyonla birleştirilmiş plazma (ICP) kazım süreçleri için tasarlanmış hassas mühendislik wafer taşıyıcılarıdır.SiC, olağanüstü ısı yönetimi nedeniyle üstün bir malzeme olarak öne çıkıyor., olağanüstü korozyon direnci ve aşırı sıcaklıklarda dikkate değer mekanik istikrar.
Ana Malzeme Avantajları
- Üstün ısı iletkenliği:Verimli ısı dağılımı ve wafer boyunca tek tip sıcaklık dağılımı için
- Plasma ve korozyona karşı olağanüstü direnç:Uzun süreli hizmet ömrü için sert kimyasal ortamlara ve plazma şoklarına dayanır
- Yüksek sıcaklıklarda yüksek mekanik dayanıklılık:Yüksek termal yük altında yapısal bütünlüğü ve boyutsal istikrarı korur
- Düşük Termal Genişleme:Termal döngü sırasında waferlerin çarpma veya stres riskini en aza indirir
Silikon Karbid (SiC) Malzeme Özellikleri
| Mülkiyet | Değer |
|---|---|
| Bileşik formül | SiC |
| Moleküler ağırlık | 40.1 |
| Görünüşü | Siyah |
| Erime Noktası | 2,730 °C (bozulur) |
| yoğunluk | 3.0 - 3.2 g/cm3 |
| Elektrik Direnci | 1 - 4 x 101 Ω*m |
| Poisson oranı | 0.15 - 0.21 |
| Özel ısı | 670 - 1180 J/kg*K |
Karşılaştırmalı özellikler: SiC tepsisi türleri
| Türü | Yeniden kristalize SiC | Sintered SiC | Reaksiyon Bağlı SiC |
|---|---|---|---|
| Saflık | > 99,5% | > 98% | > 88% |
| Max, geçici olarak çalışıyorum. | 1650 °C | 1550 °C | 1300 °C |
| Toplu yoğunluk (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | > 3.0 |
| Görünen Gözeneklilik | % 15 | < 2,5% | < 0,1% |
| Bükme dayanıklılığı (MPa) | 110 | 400 | 380 |
| Sıkıştırma Gücü (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
| Termal Genişleme (10−6/°C) | 4.6 (1200°C'de) | 4.0 (<500°C'de) | 4.4 (<500°C'de) |
| Isı iletkenliği (W/m*K) | 35 - 36 | 110 | 65 |
| Temel Özellikler | Yüksek sıcaklığa dayanıklı, yüksek saflık | Yüksek kırılma sertliği | Mükemmel Kimyasal Direnci |
ICP kazımı için kritik özellikler
- Mükemmel ısı iletkenliği:Hızlı ısı transferi sağlar ve termal eğimi en aza indirir
- Plazma şoklarına karşı üstün direnç:Uzun süreli dayanıklılığı ve süreç tutarlılığını garanti eder
- Mükemmel sıcaklık eşitliği:Tüm wafer boyunca tekdüze kazım oranları ve yüksek cihaz performansı elde etmek için kritik
Başlıca Uygulamalar
- Yarım iletken işleme:CVD, MOCVD ve epitaksi'de wafer taşıyıcıları, duyarlılar ve süreç armatürleri olarak idealdir
- LED Üretimi:ICP kazım işlemleri için güçlü ve güvenilir wafer tutucular olarak yaygın olarak kullanılır.
- Gelişmiş kaplamalar ve bileşenler:Yüksek termal ve kimyasal istikrar gerektiren çeşitli endüstriyel uygulamalara uygundur
Yarım iletken ve LED endüstrilerinin hassas ihtiyaçlarını karşılamak için standart ve özel boyutlu Silikon Karbid tepsileri, plakaları ve diğer özel SiC bileşenleri kapsamlı bir yelpazede tedarik ediyoruz.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- E-posta: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
- Whatsapp: 8613390790728
-
WeChat:
Scarlettseren533
İlgili Ürünler
-
1650°C maksimum servis sıcaklığı, 380MPa esneklik gücü ve korozyona dirençli silikon karbid mühürleme halkaları
Silisyum Karbür (SiC) Sızdırmazlık Halkaları Zorlu Uygulamalar İçin Gelişmiş Performans Ürüne Genel Bakış Basınçsız Sinterlenmiş Silisyum Karbür Sızdırmazlık Halkalarımız, aşırı çalışma koşullarında eşsiz performans sunmak üzere tasarlanmış, sızdırmazlık teknolojisinin zirvesini temsil eder. Küçük ... -
Özel silikon karbid seramik boru yakıcıları 1650 °C maksimum servis sıcaklığı,% 20 yakıt azaltma ve termal şok direnci ile
Özel silikon karbid seramik boru yakıcılar Fined Radiant tüpler ZG Industrial, aşırı koşullar için tasarlanmış yüksek performanslı özel silikon karbid seramik boru yakıcıları ve kanatlı ışıltılı borular tedarik ediyor.Si/SiC kompozit borularımız üstün ısı aktarımı sağlar., olağanüstü dayanıklılık ve ... -
Üstün aşınma direnci, uzatılmış hizmet ömrü ve endüstriyel uygulamalar için hassas mühendislik ile silikon karbid kum püskürtme nozlu
Silisyum Karbür (SiC) Kumlama Nozulları Endüstriyel yüzey işleme uygulamaları için üstün aşınma direnci Silisyum Karbür Kumlama Nozullarımız zorlu yüzey işleme uygulamalarında olağanüstü dayanıklılık ve hassasiyet için tasarlanmıştır. Gelişmiş izostatik presleme ve basınçsız sinterleme teknolojisiyl... -
Çoklu Atış Kabiliyetine Sahip ve Hafif Balistik Koruma için NIJ Sertifikalı Silisyum Karbür Vücut Zırhı
Silikon Karbid Seramik Zırh: Üstün Balistik Koruma Gelişmiş silikon karbid (SiC) seramik zırhımız, olağanüstü sertliği birleştiren balistik malzeme teknolojisinin zirvesini temsil ediyor (9.5 Mohs) ağırlığı önemli ölçüde azalmış, personel ve araçlar için yüksek hız ve zırhı delen tehditlere karşı e...
