シリコンカービッドトレイ&SiCウェーファーホルダー 1650°C マックスサービステンパール,高熱伝導性,ICPエッチングのためのプラズマ&腐食耐性
基本プロパティ
原産地:
中国
ブランド名:
KEGU
モデル番号:
カスタマイズ可能
取引物件
最低注文数量:
交渉可能
価格:
交渉可能
支払い条件:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
製品概要
シリコンカービッド (SiC) トレイ&プレート:LED製造におけるICPエッチングのための高性能のウェーファーホルダー シリコンカービッド (SiC) のトレイやプレートは,LED産業内のインダクティブ・カップルプラズマ (ICP) 刻印プロセスに特化した精密設計のウェーファーキャリアである.SiC は 優れた 熱処理 能力 の ため に 優良 な 材料 と 挙げ られ て い ます耐腐蝕性があり 極端な温度でも 優れた機械的安定性があります 主要 な 材料 の 利点 優れた熱伝導性効率的な熱消耗とウェッファー全体での均質な温度分布のために 特殊なプラズマと腐食耐性厳しい化学環境とプラズマシ...
製品詳細
ハイライト:
ICPエッチングウェーハホルダー Sicプレート
,ウェーハホルダー 炭化ケイ素プレート
,LED業界 Sicプレート
Material:
sic
Composition:SiC:
> 98％
Color:
黒
Density:
> 3.05g/cm3
Max. Service Temp:
1650°C
Flexural Strength:
380MPA
Usage:
業界の使用
Chemical Composition:
Al2O3,SiO2
Sic Content:
85%
Maximum Temperature:
1600℃
Characteristics:
高い耐摩耗性
Thermal Expansion Coefficient:
4.0～4.5×10^-6/K
Material Composition:
4%Si >96%Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
耐摩耗性と耐摩耗性
Purity:
98%
Material:
炭化ケイ素セラミック
Acid Alkaline Proof:
素晴らしい
Solubility:
不溶性
Open Porosity:
<0.1%
Flexural Strength:
350〜550 MPa
製品の説明
シリコンカービッド (SiC) トレイ&プレート:LED製造におけるICPエッチングのための高性能のウェーファーホルダー
シリコンカービッド (SiC) のトレイやプレートは,LED産業内のインダクティブ・カップルプラズマ (ICP) 刻印プロセスに特化した精密設計のウェーファーキャリアである.SiC は 優れた 熱処理 能力 の ため に 優良 な 材料 と 挙げ られ て い ます耐腐蝕性があり 極端な温度でも 優れた機械的安定性があります
主要 な 材料 の 利点
- 優れた熱伝導性効率的な熱消耗とウェッファー全体での均質な温度分布のために
- 特殊なプラズマと腐食耐性厳しい化学環境とプラズマショックに耐える 寿命が長くなる
- 高温での高機械強度:高熱負荷下で構造的整合性と寸法安定性を維持する
- 低熱膨張:熱循環中にウエファーに歪みやストレスのリスクを最小限に抑える
シリコンカービッド (SiC) 材料の特性
| プロパティ | 価値 |
|---|---|
| 複合式 | SiC |
| 分子重量 | 40.1 |
| 外見 | ブラック |
| 溶融点 | 2,730 °C (分解する) |
| 密度 | 3.0〜3.2g/cm3 |
| 電気抵抗性 | 1 - 4 x 101 Ω*m |
| ポイスン比 | 0.15 - 021 |
| 特定熱量 | 670〜1180 J/kg*K |
比較仕様:SiCトレイの種類
| タイプ | 再結晶化したSiC | シンターされたSiC | 反応結合のSiC |
|---|---|---|---|
| 純度 | > 99.5% | >98% | > 88% |
| マックス ワーキングテンパー | 1650 °C | 1550 °C | 1300 °C |
| 散布密度 (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | > 30 |
| 表面的な毛孔性 | <15% | < 2.5% | < 0.1% |
| 折りたたみ強度 (MPa) | 110 | 400 | 380 |
| 圧縮強度 (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
| 熱膨張 (10−6/°C) | 4.6 (1200°Cで) | 4.0 (<500°Cで) | 4.4 (<500°Cで) |
| 熱伝導性 (W/m*K) | 35 - 36 | 110 | 65 |
| 主要な特徴 | 高温耐性,高純度 | 高い骨折強度 | 優れた 化学 耐性 |
ICP エッチング の 重要な 特徴
- 熱伝導性が優れている迅速な熱伝送を保証し,熱格差を最小限に抑える
- プラズマショックに対する優れた耐性:長期にわたる耐久性とプロセス一貫性を保証する
- 温度均一性:均等なエッチレートと全ウエファーにわたる高いデバイス性能を達成するために重要です.
主要用途
- 半導体加工:CVD,MOCVD,エピタクシーにおけるウェーファーキャリア,受容体,およびプロセスフィクチャーとして理想的です.
- LED製造:光発光二极管の製造におけるICPエッチングプロセスにおいて,堅牢かつ信頼性の高いウェーファーホルダーとして広く使用される
- 先進的なコーティングとコンポーネント高温および化学的安定性を必要とする様々な産業用用途に適しています
私たちは,標準およびカスタムサイズシリコンカービッドトレイ,プレート,および他の専門 SiCコンポーネントの包括的な範囲を供給して,半導体およびLED産業の正確なニーズを満たします.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- メールアドレス: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
- ワットスアップ: 8613390790728
-
ウェチャット:
Scarlettseren533
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