Khay Silicon Carbide & Giá đỡ SiC với Nhiệt độ Dịch vụ Tối đa 1650°C, Độ dẫn nhiệt cao và Kháng Plasma & Ăn mòn cho Khắc ICP
Thuộc tính cơ bản
Nơi xuất xứ:
Trung Quốc
Tên thương hiệu:
KEGU
Số mô hình:
Có thể tùy chỉnh
Giao dịch Bất động sản
Số lượng đặt hàng tối thiểu:
Có thể thương lượng
Giá:
có thể đàm phán
Điều khoản thanh toán:
L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Tóm tắt sản phẩm
Khay & Tấm Silicon Carbide (SiC): Giá đỡ Wafer Hiệu suất Cao cho Khắc ICP trong Sản xuất LED Khay và tấm Silicon Carbide (SiC) được thiết kế chính xác, là giá đỡ wafer được thiết kế đặc biệt cho các quy trình khắc Plasma Kết hợp Cảm ứng (ICP) trong ngành công nghiệp LED. SiC nổi bật là một vật liệu ...
Chi tiết sản phẩm
Làm nổi bật:
Giá đỡ wafer Sic Plate khắc Icp
,Tấm Silicon Carbide cho giá đỡ wafer
,Tấm Sic trong ngành công nghiệp Led
Material:
Sic
Composition:SiC:
> 98%
Color:
Đen
Density:
> 3.05g/cm3
Max. Service Temp:
1650 ° C.
Flexural Strength:
380MPa
Usage:
Sử dụng ngành công nghiệp
Chemical Composition:
Al2O3, SiO2
Sic Content:
85%
Maximum Temperature:
1600
Characteristics:
Khả năng chống mài mòn cao
Thermal Expansion Coefficient:
4,0-4,5 × 10^-6 /K
Material Composition:
4%Si >96%Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
Khả năng chống mài mòn và mài mòn
Purity:
98%
Material:
gốm cacbua silic
Acid Alkaline Proof:
Xuất sắc
Solubility:
Không hòa tan
Open Porosity:
<0,1%
Flexural Strength:
350-550MPa
Mô tả sản phẩm
Khay & Tấm Silicon Carbide (SiC): Giá đỡ Wafer Hiệu suất Cao cho Khắc ICP trong Sản xuất LED
Khay và tấm Silicon Carbide (SiC) được thiết kế chính xác, là giá đỡ wafer được thiết kế đặc biệt cho các quy trình khắc Plasma Kết hợp Cảm ứng (ICP) trong ngành công nghiệp LED. SiC nổi bật là một vật liệu vượt trội nhờ khả năng quản lý nhiệt đặc biệt, khả năng chống ăn mòn vượt trội và độ ổn định cơ học đáng kể ở nhiệt độ khắc nghiệt.
Ưu điểm vật liệu chính
- Độ dẫn nhiệt vượt trội:Để tản nhiệt hiệu quả và phân bố nhiệt độ đồng đều trên toàn bộ wafer
- Khả năng chống plasma & ăn mòn đặc biệt:Chịu được môi trường hóa chất khắc nghiệt và sốc plasma để kéo dài tuổi thọ
- Độ bền cơ học cao ở nhiệt độ cao:Duy trì tính toàn vẹn cấu trúc và độ ổn định kích thước dưới tải nhiệt cao
- Độ giãn nở nhiệt thấp:Giảm thiểu nguy cơ cong vênh hoặc ứng suất trên wafer trong quá trình chu kỳ nhiệt
Tính chất vật liệu Silicon Carbide (SiC)
| Thuộc tính | Giá trị |
|---|---|
| Công thức hóa học | SiC |
| Khối lượng phân tử | 40.1 |
| Hình thức | Màu đen |
| Điểm nóng chảy | 2.730 °C (phân hủy) |
| Tỷ trọng | 3.0 - 3.2 g/cm³ |
| Điện trở suất | 1 - 4 x 10¹ Ω*m |
| Tỷ lệ Poisson | 0.15 - 0.21 |
| Nhiệt dung riêng | 670 - 1180 J/kg*K |
Thông số kỹ thuật so sánh: Các loại khay SiC
| Loại | SiC tái kết tinh | SiC thiêu kết | SiC liên kết phản ứng |
|---|---|---|---|
| Độ tinh khiết | > 99.5% | > 98% | > 88% |
| Nhiệt độ làm việc tối đa | 1650 °C | 1550 °C | 1300 °C |
| Khối lượng riêng (g/cm³) | 2.7 | 3.1 | > 3.0 |
| Độ xốp biểu kiến | < 15% | < 2.5% | < 0.1% |
| Độ bền uốn (MPa) | 110 | 400 | 380 |
| Độ bền nén (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
| Độ giãn nở nhiệt (10⁻⁶/°C) | 4.6 (ở 1200°C) | 4.0 (ở <500°C) | 4.4 (ở <500°C) |
| Độ dẫn nhiệt (W/m*K) | 35 - 36 | 110 | 65 |
| Đặc điểm chính | Khả năng chịu nhiệt độ cao, độ tinh khiết cao | Độ bền gãy cao | Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời |
Các tính năng quan trọng để khắc ICP
- Độ dẫn nhiệt tuyệt vời:Đảm bảo truyền nhiệt nhanh và giảm thiểu gradient nhiệt
- Khả năng chống sốc plasma vượt trội:Đảm bảo độ bền lâu dài và tính nhất quán của quy trình
- Độ đồng đều nhiệt độ tuyệt vời:Rất quan trọng để đạt được tốc độ khắc đồng đều và hiệu suất thiết bị cao trên toàn bộ wafer
Ứng dụng chính
- Xử lý chất bán dẫn:Lý tưởng làm giá đỡ wafer, bộ phận hấp thụ và đồ gá quy trình trong CVD, MOCVD và epitaxy
- Sản xuất LED:Được sử dụng rộng rãi làm giá đỡ wafer chắc chắn và đáng tin cậy cho các quy trình khắc ICP trong sản xuất điốt phát quang
- Lớp phủ & thành phần tiên tiến:Thích hợp cho các ứng dụng công nghiệp khác nhau đòi hỏi độ ổn định nhiệt và hóa học cao
Chúng tôi cung cấp một loạt các khay, tấm và các thành phần SiC chuyên dụng khác bằng Silicon Carbide tiêu chuẩn và kích thước tùy chỉnh để đáp ứng các nhu cầu chính xác của ngành công nghiệp bán dẫn và LED.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- E-mail: scarlett.s@kegugroup.com
- Điện thoại: 8616602956098
- WhatsApp: 8613390790728
-
WeChat:
Scarlettseren533
Sản phẩm liên quan
-
Nhẫn niêm phong Silicon Carbide với nhiệt độ phục vụ tối đa 1650 °C, Độ bền uốn cong 380MPa và khả năng chống ăn mòn
Nhẫn niêm phong Silicon Carbide (SiC) Hiệu suất nâng cao cho các ứng dụng đòi hỏi Tổng quan sản phẩm Vòng niêm phong Silicon Carbide không áp suất của chúng tôi đại diện cho đỉnh cao của công nghệ niêm phong, được thiết kế để cung cấp hiệu suất không sánh ngang trong điều kiện hoạt động cực đoan.Sử ... -
Đầu đốt ống gốm silicon carbide tùy chỉnh với nhiệt độ phục vụ tối đa 1650°C, giảm 20% nhiên liệu và khả năng chống sốc nhiệt
Ống đốt gốm cacbua silic tùy chỉnh và Ống bức xạ có cánh ZG Industrial cung cấp ống đốt gốm cacbua silic tùy chỉnh và ống bức xạ có cánh hiệu suất cao. Được thiết kế cho các điều kiện khắc nghiệt, ống composite Si/SiC của chúng tôi mang lại khả năng truyền nhiệt vượt trội, độ bền đặc biệt và tiết ki... -
Silicon Carbide Sandblasting Nozzle với khả năng chống mòn vượt trội, tuổi thọ kéo dài và kỹ thuật chính xác cho các ứng dụng công nghiệp
Vòi phun cát Silicon Carbide (SiC) Khả năng chống mài mòn vượt trội cho các ứng dụng xử lý bề mặt công nghiệp Vòi phun cát Silicon Carbide của chúng tôi được thiết kế để có độ bền và độ chính xác cao trong các ứng dụng xử lý bề mặt đòi hỏi khắt khe. Được sản xuất thông qua công nghệ ép đẳng tĩnh ti... -
NIJ chứng nhận giáp thân Silicon Carbide với khả năng tấn công nhiều lần và phòng thủ nhẹ để bảo vệ đạn đạo
Giáp gốm silicon carbide: Bảo vệ đạn đạo vượt trội Giáp gốm silicon carbide (SiC) tiên tiến của chúng tôi đại diện cho đỉnh cao của công nghệ vật liệu đạn đạo, kết hợp độ cứng đặc biệt (9.5 Mohs) với trọng lượng giảm đáng kể để mang lại sự bảo vệ vô song cho nhân viên và phương tiện trước các mối đe ...
