Главная страница Продукция керамика из карбида кремния

Подставка из карбида кремния и держатель пластин SiC с максимальной рабочей температурой 1650°C, высокой теплопроводностью и устойчивостью к плазме и коррозии для ICP травления

Name: Подставка из карбида кремния и держатель пластин SiC с максимальной рабочей температурой 1650°C, высокой теплопроводностью и устойчивостью к плазме и коррозии для ICP травления
Brand: Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
SKU: Настраиваемый
Price: 350.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

керамика из карбида кремния
(30)

Карбид кремния, связанный реакцией
(12)

нагревающие элементы
(46)

Керамика из нитрида кремния
(11)

Керамика из оксида алюминия
(34)

керамика из оксида циркония
(2)

Азотистый бор керамический
(4)

керамический порошок
(5)

Сертификация

Китай Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd Сертификаты

Просмотрения клиента

NGK ценит наше давнее партнерство с Шэньси Кегу. Их керамика SSiC превосходит качество и инновации, что способствует нашему взаимному успеху.

—— NGK Thermal Technology Co., Ltd.

В Huike мы гордимся нашим давним партнерством с Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., сотрудничеством, основанным на доверии, инновациях и совместном совершенстве.Их опыт в области керамики SSiC и надежные решения постоянно поддерживали наши проекты.

—— Suzhou Huike Technology Co., Ltd.

Мы, в Keda, высоко ценим наше долгосрочное партнерство с Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd. Их высококачественные керамические решения SSiC были неотъемлемой частью наших проектов, и мы рассчитываем на дальнейшее сотрудничество и общий успех.

—— Keda Industrial Group Co.,Ltd.

Оставьте нам сообщение

Подставка из карбида кремния и держатель пластин SiC с максимальной рабочей температурой 1650°C, высокой теплопроводностью и устойчивостью к плазме и коррозии для ICP травления

Silicon Carbide Tray & SiC Wafer Holder with 1650°C Max Service Temp, High Thermal Conductivity, and Plasma & Corrosion Resistance for ICP Etching

Большие изображения : Подставка из карбида кремния и держатель пластин SiC с максимальной рабочей температурой 1650°C, высокой теплопроводностью и устойчивостью к плазме и коррозии для ICP травления

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	KeGu
Номер модели:	Настраиваемый

Оплата и доставка Условия:

Цена:	200-500 yuan/kg
Упаковывая детали:	Сильная деревянная коробка для глобальной доставки
Условия оплаты:	Аккредитив, Документы против акцепта, Документы против платежа, Банковский перевод, Western Union, M
Поставка способности:	2 000 ПК/месяц

контакт

Подставка из карбида кремния и держатель пластин SiC с максимальной рабочей температурой 1650°C, высокой теплопроводностью и устойчивостью к плазме и коррозии для ICP травления

описание

Материал:	Sic	Состав: карбид кремния:	> 98%
цвет:	Черный	Плотность:	> 3,05 г/см3
Макс. Температура обслуживания:	1650 ° C.	изгибная прочность:	380 МПа
Выделить:	ICP резьба вафли держатель Sic пластина , Кремниевая карбидная пластина для держателя пластин , Промышленная пластина с светодиодом

Трейсы и пластины из карбида кремния (SiC): держатели пластинок высокой производительности для выемки ICP в производстве светодиодов

Подносы и пластины из карбида кремния (SiC) представляют собой прецизионно разработанные носители пластинок, предназначенные специально для процессов гравирования с индуктивно-связанной плазмой (ICP) в индустрии светодиодов.SiC выделяется как превосходный материал из-за его исключительного теплового управления, отличная коррозионная стойкость и замечательная механическая стабильность при экстремальных температурах.

Основные материальные преимущества

Высокая теплопроводность:Для эффективного рассеяния тепла и равномерного распределения температуры по вафеле
Исключительная устойчивость к плазме и коррозии:Выдерживает суровые химические среды и плазменный шок для продления срока службы
Высокая механическая прочность при высоких температурах:Сохраняет структурную целостность и размерную стабильность при высоких тепловых нагрузках
Низкая тепловая экспансия:Минимизирует риск деформации или напряжения на пластины во время теплового цикла

Свойства материала карбида кремния (SiC)

Недвижимость	Стоимость
Составная формула	SiC
Молекулярная масса	40.1
Внешний вид	Черный
Точка плавления	2,730 °C (разлагается)
Плотность	30,0 - 3,2 г/см3
Электрическое сопротивление	1 - 4 x 101 Ω*м
Соотношение Пуасона	0.15 - 0.21
Специфическая температура	670 - 1180 J/kg*K

Сравнительные спецификации: Типы SiC-пакетов

Тип	Перекристаллизированный Сик	Синированный СиК	Сикроксид, связанный реакцией
Чистота	> 99,5%	> 98%	> 88%
Макс, временный работник.	1650 °C	1550 °C	1300 °C
Плотность грунта (г/см3)	2.7	3.1	> 3.0
Очевидная пористость	< 15%	< 2,5%	< 0,1%
Прочность на изгиб (MPa)	110	400	380
Прочность на сжатие (MPa)	> 300	2200	2100
Тепловое расширение (10−6/°C)	4.6 (при 1200°C)	4.0 (при < 500°C)	4.4 (при < 500°C)
*Теплопроводность (W/mK)**	35 - 36	110	65
Основные характеристики	Устойчивость к высоким температурам, высокая чистота	Высокая прочность на перелом	Отличная устойчивость к химическим веществам

Критические особенности для вырезки ICP

Отличная теплопроводность:Обеспечивает быструю передачу тепла и минимизирует тепловые градиенты
Высокая устойчивость к плазменному шоку:Гарантирует долгосрочную долговечность и последовательность процессов
Отличная однородность температуры:Критически важно для достижения единообразных скоростей нанесения нарезки и высокой производительности устройства на всей пластине

Основные применения

Обработка полупроводников:Идеально подходит в качестве носителей пластин, восприимчивых и процессуальных приспособлений в КВД, MOCVD и эпитаксии.
Производство светодиодов:Широко используется в качестве прочных и надежных держателей пластинок для процессов офорта ICP в производстве светоизлучающих диодов
Продвинутые покрытия и компоненты:Подходит для различных промышленных применений, требующих высокой тепловой и химической стабильности

Мы поставляем широкий спектр стандартных и индивидуальных по размеру пластинок, пластинок и других специализированных компонентов SiC для удовлетворения конкретных потребностей полупроводниковой и светодиодной промышленности.

тег:

Контактное лицо: Ms. Yuki

Телефон: 8615517781293

Другие продукты