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Envases de carburo de silicio y portadores de obleas de SiC con temperatura de servicio máxima de 1650 °C, alta conductividad térmica y resistencia al plasma y a la corrosión para el grabado ICP

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Certificación
Porcelana Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd certificaciones
Porcelana Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
NGK valora nuestra larga asociación con Shaanxi Kegu. Sus cerámicas SSiC sobresalen en calidad e innovación, impulsando nuestro éxito mutuo. ¡Por una colaboración continua!

—— NGK Thermal Technology Co.,Ltd

En Huike, nos enorgullece nuestra larga colaboración con Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., una asociación basada en la confianza, la innovación y la excelencia compartida. Su experiencia en cerámicas SSiC y soluciones confiables han respaldado consistentemente nuestros proyectos.

—— SuzhouHuike Technology Co.,Ltd

Nosotros en Keda apreciamos mucho nuestra asociación de larga data con Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd.Sus soluciones cerámicas SSiC de alta calidad han sido parte integral de nuestros proyectos y esperamos continuar la colaboración y el éxito compartido.

—— Keda Industrial Group Co.,Ltd.

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Envases de carburo de silicio y portadores de obleas de SiC con temperatura de servicio máxima de 1650 °C, alta conductividad térmica y resistencia al plasma y a la corrosión para el grabado ICP

Silicon Carbide Tray & SiC Wafer Holder with 1650°C Max Service Temp, High Thermal Conductivity, and Plasma & Corrosion Resistance for ICP Etching
Silicon Carbide Tray & SiC Wafer Holder with 1650°C Max Service Temp, High Thermal Conductivity, and Plasma & Corrosion Resistance for ICP Etching Silicon Carbide Tray & SiC Wafer Holder with 1650°C Max Service Temp, High Thermal Conductivity, and Plasma & Corrosion Resistance for ICP Etching Silicon Carbide Tray & SiC Wafer Holder with 1650°C Max Service Temp, High Thermal Conductivity, and Plasma & Corrosion Resistance for ICP Etching

Ampliación de imagen :  Envases de carburo de silicio y portadores de obleas de SiC con temperatura de servicio máxima de 1650 °C, alta conductividad térmica y resistencia al plasma y a la corrosión para el grabado ICP

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: KeGu
Número de modelo: Personalizable
Pago y Envío Términos:
Precio: 200-500 yuan/kg
Detalles de empaquetado: Caja de madera fuerte para el transporte marítimo mundial
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 2.000 PC/mes
Contacto

Envases de carburo de silicio y portadores de obleas de SiC con temperatura de servicio máxima de 1650 °C, alta conductividad térmica y resistencia al plasma y a la corrosión para el grabado ICP

descripción
Material: Sic Composición:SiC: > 98%
color: Negro Densidad: > 3.05g/cm3
Máx. Temperatura de servicio: 1650 ° C Resistencia a la flexión: 380MPA
Uso: Uso de la industria Composición química: Al2O3, SiO2
Contenido Sic: 85% temperatura máxima: 1600 ℃
Características: Alta resistencia al desgaste Coeficiente de expansión térmica: 4,0-4,5 × 10^-6/K
Composición de materiales: 4%Si >96%Sic Temperatura de trabajo: 1650
Ventaja: Resistencia al desgaste y a la abrasión Pureza: 98%
Material: cerámica de carburo de silicio Prueba alcalina ácida: Excelente
Solubilidad: Insoluble Porosidad abierta: <0,1%
Resistencia a la flexión: 350 a 550 MPa
Resaltar:

Placa SiC para porta obleas de grabado ICP

,

Placa de carburo de silicio para porta obleas

,

Placa SiC para la industria LED

Tableros y placas de carburo de silicio (SiC): soportes de obleas de alto rendimiento para grabado ICP en la fabricación de LED
Las bandejas y placas de carburo de silicio (SiC) son portadores de obleas de ingeniería de precisión diseñados específicamente para procesos de grabado de plasma acoplado inductivamente (ICP) dentro de la industria de LED.El SiC se destaca como un material superior debido a su excepcional manejo térmico, excelente resistencia a la corrosión y notable estabilidad mecánica a temperaturas extremas.
Ventajas clave del material
  • Conductividad térmica superior:Para una disipación de calor eficiente y una distribución uniforme de la temperatura en toda la oblea
  • Resistencia excepcional al plasma y a la corrosión:Resiste ambientes químicos agresivos y choque de plasma para una vida útil prolongada
  • Alta resistencia mecánica a temperaturas elevadas:Mantiene la integridad estructural y la estabilidad dimensional bajo altas cargas térmicas
  • Baja expansión térmica:Minimiza el riesgo de deformación o tensión en las obleas durante el ciclo térmico
Propiedades del carburo de silicio (SiC)
Propiedad Valor
Formulación compuesta Seco
Peso molecular 40.1
Apariencia Negro
Punto de fusión 2,730 °C (se descompone)
Densidad 3.0 - 3,2 g/cm3
Resistencia eléctrica 1 - 4 x 101 Ω*m
La proporción de Poisson 0.15 a 0.21
Calor específico 670 - 1180 J/kg*K
Especificaciones comparativas: Tipos de bandejas de SiC
El tipo SiC recristalizado SiC sinterizado SiC enlazado por reacción
La pureza > 99,5% > 98 por ciento > 88%
Trabajo temporal. 1650 °C 1550 °C 1300 °C
Densidad a granel (g/cm3) 2.7 3.1 > 3.0
Porosidad aparente < 15% < 2,5% < 0,1%
Resistencia a la flexión (MPa) 110 400 380
Resistencia a la compresión (MPa) En el caso de las entidades de crédito 2200 2100
Expansión térmica (10−6/°C) 4.6 (a 1200 °C) 4.0 (a menos de 500 °C) 4.4 (a menos de 500 °C)
Conductividad térmica (W/m*K) 35 - 36 110 65
Características principales Resistencia a altas temperaturas, alta pureza Alta resistencia a las fracturas Excelente resistencia a las sustancias químicas
Características críticas para el grabado ICP
  • Excelente conductividad térmica:Asegura una rápida transferencia de calor y minimiza los gradientes térmicos
  • Resistencia superior al choque de plasma:Garantiza la durabilidad a largo plazo y la coherencia del proceso
  • Excelencia en la uniformidad de temperatura:Critical para lograr tasas de grabado uniformes y alto rendimiento del dispositivo en toda la oblea
Aplicaciones principales
  • Procesamiento de semiconductores:Ideal como portadores de obleas, susceptores y accesorios de proceso en CVD, MOCVD y epitaxia
  • Fabricación de LED:Ampliamente utilizado como soportes de obleas robustos y confiables para procesos de grabado ICP en la producción de diodos emisores de luz
  • Recubrimientos y componentes avanzados:Apto para diversas aplicaciones industriales que requieren una alta estabilidad térmica y química
Suministramos una gama completa de bandejas, placas y otros componentes SiC especializados de carburo de silicio de tamaño estándar y personalizado para satisfacer las necesidades precisas de las industrias de semiconductores y LED.

etiqueta:

Cerámica de carburo de silicio,

SIC sinterizado sin presión,

Sic cerámica

Contacto
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

Persona de Contacto: Ms. Yuki

Teléfono: 8615517781293

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

cerámica de carburo de silicio

Horquillas de SiC resistentes a altas temperaturas con temperatura de servicio máxima de 1650 °C y resistencia a la flexión de 3800 MPa para la fabricación de semiconductores

Rollo de SiC sinterizado sin presión personalizable 1650°C Resistente al calor para hornos de chimenea de rodillos

Carburo de silicio unido por reacción

Tubos de refrigeración por aire de carburo de silicio sinterizado por reacción para refrigeración industrial a altas temperaturas con temperatura de servicio máxima de 1380 °C y resistencia a la flexión de 250 MPa

Quemador de SiC estable a altas temperaturas con resistencia al choque térmico y a la corrosión para hornos industriales

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