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पुनः क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड आरएसआईसी छिद्रित स्तंभ सिरेमिक मॉड्यूल

मूलभूत गुण
उत्पत्ति का स्थान: चीन
ब्रांड नाम: KEGU
मॉडल नंबर: अनुकूलन
व्यापारिक संपत्तियाँ
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
कीमत: Price is negotiable
भुगतान की शर्तें: एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
उत्पाद सारांश
पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड (RSiC) झरझरा स्तंभकार सिरेमिक मॉड्यूल उत्पाद अवलोकन पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड (आरएसआईसी) पोरस कॉलमर सिरेमिक मॉड्यूल अल्ट्रा-शुद्ध सिलिकॉन कार्बाइड माइक्रोपाउडर से निर्मित एक उच्च प्रदर्शन वाला विशेष सिरेमिक है। इसे a के माध्यम से सिंटर किया जाता हैउच्च ताप...

उत्पाद का विवरण

प्रमुखता देना:

झरझरा स्तंभकार पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक

,

उच्च तापमान पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक

उत्पाद का वर्णन
पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड (RSiC) झरझरा स्तंभकार सिरेमिक मॉड्यूल
उत्पाद अवलोकन

पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड (आरएसआईसी) पोरस कॉलमर सिरेमिक मॉड्यूल अल्ट्रा-शुद्ध सिलिकॉन कार्बाइड माइक्रोपाउडर से निर्मित एक उच्च प्रदर्शन वाला विशेष सिरेमिक है। इसे a के माध्यम से सिंटर किया जाता हैउच्च तापमान वाष्पीकरण-संक्षेपण तंत्र(आमतौर पर 2000°C से अधिक)किसी भी सिंटरिंग एडिटिव्स या बाइंडर्स के उपयोग के बिना.

इसकास्तंभकार (ट्यूबलर/मधुकोश) संरचनात्मक डिजाइनआरएसआईसी के आंतरिक लाभों का पूरी तरह से उपयोग करता है - अति-उच्च शुद्धता, नियंत्रणीय सरंध्रता, और शून्य उच्च तापमान ताकत में गिरावट। दीर्घकालिक, स्थिर सेवा में सक्षमऑक्सीकरण वातावरण में 1650°C, यह मॉड्यूल उच्च तापमान गैस निस्पंदन, पिघला हुआ धातु शुद्धिकरण, उत्प्रेरक समर्थन और उच्च तापमान हीट एक्सचेंजर्स सहित मांग वाले औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए प्रमुख विकल्प के रूप में खड़ा है।

अदाकारी का समीक्षण
उच्च शुद्धता क्रिस्टलीय चरण और सूक्ष्म छिद्र वास्तुकला

के साथ≥99% की SiC सामग्री, इस सामग्री में एक विशिष्ट रासायनिक संरचना होती है। चूंकि कोई ऑक्साइड सिंटरिंग सहायक (जैसे सिलिका या एल्यूमिना) नहीं मिलाया जाता है, इसलिए सामग्री हैग्लासी चरणों से पूरी तरह मुक्त. यह इसे सुनिश्चित करता हैकभी भी तरल-चरण नरमी का अनुभव नहीं होगाअत्यधिक गर्मी के तहत. इस बीच,≤17% की स्पष्ट सरंध्रताएक उच्च नियंत्रित सूक्ष्म-छिद्र नेटवर्क बनाता है, जो तरल/गैस प्रवेश और क्षरण के लिए बेहतर प्रतिरोध प्रदान करते हुए उत्कृष्ट तरल पारगम्यता सुनिश्चित करता है - अशुद्धता के रिसाव के किसी भी जोखिम के बिना।

असाधारण उच्च तापमान यांत्रिक प्रदर्शन

यह RSiC को सामान्य रिएक्शन-बॉन्डेड SiC (RBSiC) या सिलिकॉन नाइट्राइड-बॉन्डेड SiC से अलग करने वाला मुख्य लाभ है। इसका20°C पर फ्लेक्सुरल स्ट्रेंथ 90-100 MPa है, के साथ300 एमपीए की क्रशिंग ताकत. उल्लेखनीय रूप से, पर1200°C, इसकालचीली ताकत 100-110 एमपीए तक बढ़ जाती है. ये अनोखा"उच्च तापमान सुदृढ़ीकरण प्रभाव"गारंटी देता है कि 1600°C से ऊपर संचालन करते समय स्तंभ मॉड्यूल पूर्ण संरचनात्मक कठोरता और आयामी स्थिरता बनाए रखता है।

सुपीरियर थर्मल शॉक प्रतिरोध और थर्मल गुण
  • थर्मल विस्तार का कम गुणांक(1200°C पर:4.6*10⁻⁶/डिग्री सेल्सियस) के साथ संयुक्तउच्च तापीय चालकता(1200°C पर:35-36 डब्लू/एम·के) सामग्री को उत्कृष्टता प्रदान करता हैथर्मल शॉक प्रतिरोध.
  • इंजीनियरिंग महत्व: गंभीर थर्मल साइक्लिंग के तहत भी - जैसे कि बार-बार औद्योगिक भट्टी चालू होना / बंद होना या द्रव धाराओं में अचानक तापमान में उतार-चढ़ाव - मॉड्यूल मैक्रोस्कोपिक क्रैकिंग का प्रतिरोध करता है, नाटकीय रूप से इसके परिचालन जीवन काल को बढ़ाता है।
तकनीकी प्रदर्शन डेटा
प्रदर्शन श्रेणी पैरामीटर इकाइयों मानक मान
रासायनिक गुण रासायनिक संरचना (SiC) % ≥99
भौतिक गुण थोक घनत्व जी/सेमी³ 2.65 – 2.75
स्पष्ट सरंध्रता % ≤17
यांत्रिक विशेषताएं टूटना मापांक (20°C पर) एमपीए 90 – 100
टूटना मापांक (1200°C पर) एमपीए 100 – 110
कुचलने का मापांक (20°C पर) एमपीए 300
कठोरता किग्रा/मिमी² 1800 – 2000
अस्थिभंग बेरहमी एमपीए·एम^1/2 1.8 – 2.0
थर्मल विशेषताएं तापीय चालकता (1200°C पर) डब्ल्यू/(एम·के) 35-36
थर्मल विस्तार (1200°C पर) *10⁻⁶/डिग्री सेल्सियस 4.6
थर्मल शॉक प्रतिरोध (1200°C पर) - बहुत अच्छा
सीमा पैरामीटर अधिकतम कार्य तापमान डिग्री सेल्सियस 1650 (ऑक्सीकरणकारी वातावरण में)
इंजीनियरिंग लाभ

इसके साथ संयुक्तस्तंभाकार/मधुकोश भौतिक प्रोफ़ाइल, यह सिरेमिक मॉड्यूल तीन उत्कृष्ट इंजीनियरिंग लाभ प्रदान करता है:

  • घर्षण और कटाव प्रतिरोध: की सतह कठोरता के साथ1800 - 2000 किग्रा/मिमी²चैनल की भीतरी दीवारों में उच्च गति वाले कण-युक्त ग्रिप गैस या अपघर्षक पिघले हुए तरल पदार्थ के खिलाफ असाधारण प्रतिरोध होता है। यह कटाव के कारण होने वाले छिद्रों के बढ़ने या संरचनात्मक पतन को रोकता है।
  • स्व-संतुलन तापीय क्षेत्र: उच्च तापीय चालकता (35-36 W/m·K) स्तंभ संरचना के भीतर अत्यधिक समान तापमान वितरण सुनिश्चित करती है, जो स्थानीय तापीय तनाव सांद्रता को प्रभावी ढंग से समाप्त करती है जो भंगुर फ्रैक्चर का कारण बनती है। यह सुरक्षित, लंबे चक्र के निरंतर संचालन को रेखांकित करता है।
  • रासायनिक जड़ता एवं शुद्धता: शुद्ध सिलिकॉन कार्बाइड संरचना उच्च तापमान पर अम्लीय और क्षारीय मीडिया के लिए निष्क्रिय रहती है और आसपास के वातावरण में शून्य आयनिक अशुद्धियाँ छोड़ती है - जो इसे स्वच्छ विनिर्माण और पर्यावरणीय अनुपालन के लिए पूरी तरह उपयुक्त बनाती है।
अनुप्रयोग परिदृश्य
अलौह धातु पिघलने का उच्च परिशुद्धता निस्पंदन

पिघले हुए एल्यूमीनियम, तांबे या जस्ता की ढलाई के दौरान, मॉड्यूल के सूक्ष्म छिद्र गैर-धातु समावेशन (जैसे ऑक्साइड फिल्में और मैल) को पकड़ लेते हैं। के साथ≥99% शुद्धता, यह सुनिश्चित करता हैकोई हानिकारक अशुद्धता तत्व नहीं(उदाहरण के लिए, लोहा, कैल्शियम) लंबे समय तक उच्च तापमान के संपर्क के दौरान तरल धातु में छोड़े जाते हैं। यह कास्टिंग की आंतरिक धातुकर्म गुणवत्ता और यांत्रिक गुणों को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है। इसके अलावा, इसका असाधारण थर्मल शॉक प्रतिरोध पिघली हुई धातु डालने पर अचानक होने वाले थर्मल ग्रेडिएंट्स का पूरी तरह से सामना करता है।

उच्च तापमान संक्षारक ग्रिप गैस की सफाई

उच्च तापमान वाले सिरेमिक फिल्टर के रूप में काम करते हुए, यह सीधे औद्योगिक भट्टी निकास से बारीक कणों को पकड़ता है1200°C से अधिक, डाउनस्ट्रीम हीट रिकवरी बॉयलरों की सुरक्षा करना। ग्लासी चरणों की अनुपस्थिति के कारण, RSiC वितरित होता हैएसिड और क्षार संक्षारण के लिए मजबूत प्रतिरोध, SO₂, HCl और क्षार धातु वाष्प से समृद्ध वातावरण में दीर्घकालिक संचालन को सक्षम करना। इसके अतिरिक्त, इसकी उच्च तापीय चालकता स्थानीयकृत राख संचय और अधिक गर्मी को रोकती है, फिल्टर को थर्मल बर्नआउट से बचाती है।

उत्प्रेरक ऊर्जा और रासायनिक सुधार प्रतिक्रियाओं के लिए समर्थन करता है

हाइड्रोजन उत्पादन और मेथनॉल-टू-ओलेफिन के लिए मीथेन सुधार जैसी तीव्र एंडोथर्मिक/एक्सोथर्मिक प्रतिक्रियाओं के लिए उत्प्रेरक वाहक के रूप में उपयोग किया जाता है। उच्च तापीय चालकता तेजी से प्रतिक्रिया गर्मी को नष्ट कर देती है,उत्प्रेरक बिस्तर पर बिल्कुल समान तापमान वितरण सुनिश्चित करना. यह स्थानीय "हॉट स्पॉट" को रोकता है जो उत्प्रेरक सिंटरिंग और निष्क्रियता का कारण बनता है। की एक उच्च कुचलने की शक्ति300 एमपीएमॉड्यूल को निरंतर उच्च दबाव वाले गैस प्रभावों का सामना करने में सक्षम बनाता है, जिससे दीर्घकालिक रिएक्टर स्थिरता सुनिश्चित होती है।

सेमीकंडक्टर और फोटोवोल्टिक उद्योगों में उच्च तापमान प्रबंधन

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन, एपिटैक्सियल ग्रोथ और फोटोवोल्टिक सेल डिफ्यूजन भट्टियों के निर्माण में, मॉड्यूल को वेफर कैरियर (नाव), फर्नेस ट्यूब या गैस डिफ्यूज़र के रूप में नियोजित किया जाता है। पारंपरिक क्वार्ट्ज घटकों की तुलना में, जो उच्च तापमान पर नरम हो जाते हैं और क्षार धातु की अशुद्धियों (जैसे, Na, K) को बाहर निकाल देते हैं, यह सामग्री-सिंटरिंग एडिटिव्स से मुक्त और उच्च तापमान पर शून्य आयनिक अशुद्धियाँ जारी करता है- उच्च चिप पैदावार और पीवी उत्पाद शुद्धता की गारंटी के लिए अंतिम "स्वच्छ वाहक" है। इसके अलावा, इसकी 1650°C सीमा क्वार्ट्ज की तापीय सहनशीलता से काफी अधिक है।

उच्च तापमान वाले औद्योगिक हीट एक्सचेंजर्स और पुनर्योजी बिस्तर

इस्पात, धातुकर्म और रासायनिक उद्योगों में, इन मॉड्यूल का उपयोग दहन वायु या ईंधन गैस को पहले से गरम करने के लिए उच्च तापमान वाले निकास अपशिष्ट ताप (1600 डिग्री सेल्सियस तक) को पुनर्प्राप्त करने के लिए किया जाता है। स्तंभ संरचना विशिष्ट सतह क्षेत्र को अधिकतम करती है, और बेहतर तापीय चालकता के साथ मिलकर अत्यधिक कुशल अपशिष्ट ताप पुनर्प्राप्ति प्राप्त करती है। थर्मल विस्तार का बेहद कम गुणांक यह सुनिश्चित करता है कि उपकरण बार-बार स्टार्ट-स्टॉप चक्र (थर्मल साइक्लिंग) के तहत थर्मल थकान फ्रैक्चरिंग से पीड़ित नहीं होंगे।

अनुकूलित डिजाइन और इंजीनियरिंग

यह पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड स्तंभकार सिरेमिक मॉड्यूल असाधारण डिज़ाइन लचीलापन प्रदान करता है। व्यावहारिक इंजीनियरिंग परिनियोजन में,सूक्ष्म छिद्र व्यास, दीवार की मोटाई और स्तंभ की लंबाई जैसे मापदंडों को पूरी तरह से अनुकूलित किया जा सकता हैविशिष्ट मीडिया प्रवाह दर, ऑपरेटिंग दबाव, कण आकार वितरण (निस्पंदन परिशुद्धता आवश्यकताओं), और मीडिया की रासायनिक पीएच/क्षारीयता के आधार पर। इन अनुरूपित समाधानों को आयातित और घरेलू उच्च तापमान वाले औद्योगिक उपकरणों दोनों में सहजता से एकीकृत किया जा सकता है, जो दुनिया भर के अंतिम उपयोगकर्ताओं के लिए अत्यधिक लागत प्रभावी कोर घटक समाधान प्रदान करता है।

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