Premium SiC-Rollenstäbe für die Halbleiterfertigung | KEGU
Ein koreanischer Marktführer für Halbleitermaterialien stand vor kritischen Problemen mit seinen Hochtemperaturöfen (1600 °C+):
- Dimensionsinstabilität: Herkömmliche Walzenstäbe aus Aluminiumoxid verformen sich bei erhöhten Temperaturen, was zu einer Fehlausrichtung des Substrats und Ertragsverlusten führt.
- Korrosionsfehler: Aggressive Nebenprodukte (z. B. HCl, Cl₂) bei der Halbleiterherstellung erodieren Aluminiumoxidstäbe, die alle drei Monate ausgetauscht werden müssen.
- Ausfallkosten: Häufige Wartungsarbeiten führten zu ProduktionsausfällenVerluste in Höhe von 120.000 USD/Monat.
- Unfähigkeit, strenge thermische Stabilitätsanforderungen für Präzisionshalbleitersubstrate zu erfüllen.
- Kurze Lebensdauer der Komponenten in korrosiver Atmosphäre.
- Hohe Betriebskosten durch ungeplante Ausfallzeiten.
Kegu geliefertKundenspezifische drucklos gesinterte SiC-Walze 1650℃ hitzebeständig für Rollenherdöfenzugeschnitten auf die technischen und logistischen Bedürfnisse des Kunden:
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Kundenspezifisches Engineering
- Abmessungen: 50 mm Durchmesser * 1200 mm Länge, optimiert für die Ofengeometrie des Kunden.
- Oberflächenbeschaffenheit: Auf Ra ≤ 0,8 μm poliert, um Schlammanhaftung während der Substratbeschichtung zu verhindern.
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Leistungsverbesserungen
DerSSiC-Rollenkomponentendemonstriert:
- stabiler Betrieb bis 1650°C,
- hohe Belastbarkeit,
- und deutlich verbesserte Korrosionsbeständigkeit in HCl-haltigen Umgebungen.
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Vollständiges Rückverfolgbarkeitssystem
- Rohstoffe: 99,5 % reines SiC-Pulver aus Shaanxis erstklassigen Quarzminen (zertifiziert durch SGS).
- Produktionsdaten: Echtzeitaufzeichnungen des Vakuumsinterns bei 2100 °C (12-Stunden-Zyklus) und der Ofenparameter.
- Qualitätssicherung:
- Intern: 3-Punkt-Biegetest (Festigkeit ≥600 MPa), XRD-Phasenanalyse.
- Extern: Zertifizierte Tests des Korea Testing Laboratory (KTL) auf chemische Beständigkeit.
- Koreanischsprachiges Team: Engagierte technische Berater für nahtlose Kommunikation.
- Schnelles Prototyping: Kostenloser Mustertest innerhalb von 7 Tagen zur Validierung der Kompatibilität.
- Kurze Vorlaufzeit: 3 Wochen Lieferzeit ab Auftragsbestätigung.
BenutzenDrucklos gesinterte SiliziumkarbidwalzenDie Ausfallzeit wurde um 80 % reduziert und die Lebensdauer unter Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitungsbedingungen von 3 Monaten auf über 24 Monate erhöht.
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Qualitäts- und Ertragsverbesserungen
- Substratfehlerrate um 65 % gesunken: Durch die konstante Leistung der Rollenstange wurden Probleme mit thermischer Verformung beseitigt.
- Einhaltung der SEMI-Standards: Ermöglichte dem Kunden die Belieferung großer koreanischer Chiphersteller (z. B. Samsung Electronics).
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Strategische Partnerschaft
- Auftragsvolumen um 300 % gestiegen: Innerhalb von 12 Monaten, angetrieben durch Zuverlässigkeit und Datentransparenz.
- Gemeinsame F&E-Projekte: Zusammenarbeit an SiC-Komponenten der nächsten Generation für die 5G-Halbleiterfertigung.
| Parameter | Kegu SiC-Rollenstangen | Traditionelle Aluminiumoxidstäbe |
|---|---|---|
| Maximale Betriebstemperatur | 1650°C | 1400°C |
| Korrosionsrate (HCl) | <0,01 mm/Jahr | 0,5 mm/Jahr |
| Lebensdauer | 24+ Monate | 3 Monate |
| Kosten pro Einheit (USD) | 1.800 $ | 600 $ (mit häufigem Austausch) |
Drucklos gesinterte Siliziumkarbid-Walzen (SSiC) werden häufig verwendet in:
- thermische Halbleiterverarbeitung,
- Lithiumbatterieöfen,
- Rollenherdöfen,
- und korrosive Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Zu den wichtigsten Vorteilen gehören:
- hohe thermische Stabilität,
- ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit,
- geringe Verformung bei erhöhter Temperatur,
- und lange Lebensdauer.
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