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Willkommen bei Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
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Hochleistungs Siliziumkarbid-Ofenkomponenten mit extremer Temperaturbeständigkeit, überlegener mechanischer Festigkeit und außergewöhnlichem thermischen Management

Grundlegende Eigenschaften
Herkunftsort: China
Markenname: KEGU
Modellnummer: Anpassbar
Immobilienhandel
Preis: 200-500 yuan/kg
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Lieferfähigkeit: 2.000 PC/Monat
Produktübersicht
Siliziumkarbid (SiC) Ofenkomponenten. Unsere Silicon Carbide (SiC) Ofenkomponenten bieten fortschrittliche keramische Lösungen für anspruchsvolle Halbleiter- und Solarherstellungsprozesse.Konzipiert, um extremen Temperaturen bis zu 1900 °C standzuhalten, diese hochreinen Bauteile bieten eine ...

Produktdetails

Hervorheben:

Silikonkarbid-Keramiköfen

,

85% Sic Paddle

,

85% Sic Tube

Material: Sic
Composition:SiC: >85 %
Color: Schwarz
Density: ≥3,0 g/cm3
Max. Service Temp: 1380 ℃
Flexural Strength: 250 MPa
Produkt-Beschreibung
Siliziumkarbid (SiC) Ofenkomponenten.
Unsere Silicon Carbide (SiC) Ofenkomponenten bieten fortschrittliche keramische Lösungen für anspruchsvolle Halbleiter- und Solarherstellungsprozesse.Konzipiert, um extremen Temperaturen bis zu 1900 °C standzuhalten, diese hochreinen Bauteile bieten eine überlegene Wärmeschlagfestigkeit, außergewöhnliche mechanische Festigkeit,und kontaminierungsfreie Leistung - bietet eine deutlich längere Lebensdauer und einen höheren Durchsatz im Vergleich zu traditionellen Quarzalternativen.
Kernproduktlinie und Anwendungen
  • SiC-Paddel:Robuste Waferboothalter für Diffusionsverfahren
  • SiC Boot:Waferträger für die Diffusion von Bor/Phosphor in der Fertigung von diskreten Halbleitern
  • SiC Dragon Wafer Boat:Spezialisierter Halter für Hochtemperaturdiffusionsanwendungen
  • SiC-Prozessrohr:Kritische Komponente für Diffusionsöfen
Silicon Carbide ceramics furnace components including SiC paddle, tube, plate and boats Close-up view of high-temperature SiC furnace components for semiconductor manufacturing Various SiC furnace components arranged for industrial processing
Wichtige technische Vorteile
  • Leistung bei extremen Temperaturen:Beibehält Strukturintegrität und chemische Stabilität bei Betriebstemperaturen von 1900 °C
  • Mechanische Eigenschaften:Hohe Biegfestigkeit (bis zu 420 MPa) verhindert Verformungen unter starken thermischen Belastungen
  • Außergewöhnliche thermische Behandlung:Eine hervorragende Wärmeschlagfestigkeit gewährleistet die Zuverlässigkeit während des schnellen Wärmekreislaufs
  • Ultra-hohe Reinheit Konstruktion:Widerstand gegen Säure-/Alkali-Korrosion und Verhinderung der Kontamination von Wafern in sensiblen Verfahren
  • Optimierte Wärmeleitfähigkeit:Sicherstellung einer einheitlichen Temperaturverteilung für einheitliche Prozessergebnisse
Technische Leistungsspezifikationen
Leistungsparameter Einheit HS-A HS-P HS-XA
Größe des Körners μm 4 bis 10 4 bis 10 4 bis 10
Dichte G/cm3 ≥ 3.1 3.0 bis 3.1 > 3 Jahre1
Härte (Knoop) Gewichtsanteil 2800 2800 2800
Flexuralstärke @ RT MPa 385 240 420
Druckfestigkeit @ RT MPa 3900 - 3900
Modul der Elastizität @ RT GPa 410 400 410
Bruchfestigkeit @ RT MPa*m1/2 8 8 8
Max. Betriebstemperatur (Luft) °C 1900 1900 1900
Wärmeleitfähigkeit @ RT W/m*K 125.6 110 125.6
Primäre industrielle Anwendungen
  • Halbleiterherstellung:Diffusion, CVD und Hochtemperaturverarbeitung
  • LED-Produktion:Anwendungen für das Epitaxialwachstum und die Waferverarbeitung
  • Solarenergie:Photovoltaische Zelldiffusionsöfen
  • Diskrete Leistungseinrichtungen:Verfahren zur Diffusion von Bor und Phosphor
Wettbewerbsvorteile
  • Qualitätssicherung:Eine strenge Qualitätskontrolle gewährleistet eine gleichbleibende Leistung aller Chargen
  • Einrichtung für Kunden:Fachkenntnisse in der Herstellung von Komponenten nach präzisen Kundenvorgaben
  • Zuverlässige Lieferung:Effiziente Produktionssysteme, die kritische Projektzeiten erfüllen
  • Technische Unterstützung:Umfassende Anwendungstechnik und Kundenservice
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