logo
Chào mừng đến Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
8616602956098

Các thành phần lò Silicon Carbide hiệu suất cao với khả năng chống nhiệt độ cực cao, sức mạnh cơ học vượt trội và quản lý nhiệt đặc biệt

Thuộc tính cơ bản
Nơi xuất xứ: Trung Quốc
Tên thương hiệu: KEGU
Số mô hình: Có thể tùy chỉnh
Giao dịch Bất động sản
Giá: 200-500 yuan/kg
Điều khoản thanh toán: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 2.000 chiếc / tháng
Tóm tắt sản phẩm
Các thành phần lò Silicon Carbide (SiC) Các thành phần lò Silicon Carbide (SiC) của chúng tôi cung cấp các giải pháp gốm tiên tiến cho các quy trình sản xuất bán dẫn và năng lượng mặt trời đòi hỏi.Được thiết kế để chịu được nhiệt độ cực cao lên đến 1900 °C, những thành phần tinh khiết cao này cung c...

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

Cửa lò gốm Silicon Carbide

,

85% Sic Paddle

,

85% Sic Tube

Material: Sic
Composition:SiC: >85%
Color: Đen
Density: ≥3.0g/cm3
Max. Service Temp: 1380
Flexural Strength: 250MPa
Mô tả sản phẩm
Các thành phần lò Silicon Carbide (SiC)
Các thành phần lò Silicon Carbide (SiC) của chúng tôi cung cấp các giải pháp gốm tiên tiến cho các quy trình sản xuất bán dẫn và năng lượng mặt trời đòi hỏi.Được thiết kế để chịu được nhiệt độ cực cao lên đến 1900 °C, những thành phần tinh khiết cao này cung cấp khả năng chống sốc nhiệt vượt trội, sức mạnh cơ học đặc biệt,và hiệu suất không ô nhiễm - cung cấp tuổi thọ hoạt động lâu hơn đáng kể và thông lượng cao hơn so với các thay thế thạch anh truyền thống.
Dòng sản phẩm cốt lõi và ứng dụng
  • SiC Paddle:Máy giữ thuyền wafer chắc chắn cho các quy trình khuếch tán
  • Tàu SiC:Vỏ mang wafer cho việc khuếch tán boron/phosphorus trong sản xuất bán dẫn riêng biệt
  • SiC Dragon Wafer Boat:Bộ chứa chuyên dụng cho các ứng dụng khuếch tán nhiệt độ cao
  • ống xử lý SiC:Thành phần quan trọng cho hệ thống lò khuếch tán
Silicon Carbide ceramics furnace components including SiC paddle, tube, plate and boats Close-up view of high-temperature SiC furnace components for semiconductor manufacturing Various SiC furnace components arranged for industrial processing
Ưu điểm kỹ thuật chính
  • Hiệu suất nhiệt độ cực:Duy trì tính toàn vẹn cấu trúc và sự ổn định hóa học ở nhiệt độ hoạt động 1900 °C
  • Tính chất cơ học vượt trội:Sức mạnh uốn cong cao (lên đến 420 MPa) ngăn ngừa biến dạng dưới tải trọng nhiệt nặng
  • Quản lý nhiệt đặc biệt:Chống sốc nhiệt xuất sắc đảm bảo độ tin cậy trong chu kỳ nhiệt nhanh
  • Xây dựng độ tinh khiết cực cao:Chống ăn mòn axit / kiềm, ngăn ngừa ô nhiễm wafer trong các quy trình nhạy cảm
  • Tối ưu hóa khả năng dẫn nhiệt:Đảm bảo phân bố nhiệt độ đồng nhất cho kết quả quy trình nhất quán
Thông số kỹ thuật hiệu suất
Parameter hiệu suất UNIT HS-A HS-P HS-XA
Kích thước hạt μm 4-10 4-10 4-10
Mật độ g/cm3 ≥ 3.1 3.0-3.1 >3.1
Độ cứng (Knoop) Kg/mm2 2800 2800 2800
Sức mạnh uốn cong @ RT MPa 385 240 420
Sức mạnh nén @ RT MPa 3900 - 3900
Mô-đun độ đàn hồi @ RT GPa 410 400 410
Độ cứng gãy @ RT MPa*m1/2 8 8 8
Max. Nhiệt độ dịch vụ (không khí) °C 1900 1900 1900
Khả năng dẫn nhiệt @ RT W/m*K 125.6 110 125.6
Ứng dụng công nghiệp chính
  • Sản xuất bán dẫn:Phân tán, CVD và xử lý nhiệt độ cao
  • Sản xuất đèn LED:Ứng dụng tăng trưởng epitaxial và chế biến wafer
  • Năng lượng mặt trời:Hệ thống lò phân tán pin quang điện
  • Thiết bị điện riêng biệt:Các quá trình khuếch tán boron và phốt pho
Ưu điểm cạnh tranh
  • Đảm bảo chất lượng:Kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt đảm bảo hiệu suất nhất quán trên tất cả các lô
  • Kỹ thuật tùy chỉnh:Chuyên môn trong sản xuất các thành phần cho các thông số kỹ thuật chính xác của khách hàng
  • Sản xuất đáng tin cậy:Hệ thống sản xuất hiệu quả được thiết kế để đáp ứng các thời gian dự án quan trọng
  • Hỗ trợ kỹ thuật:Kỹ thuật ứng dụng toàn diện và dịch vụ khách hàng
Sản phẩm liên quan

Gửi Yêu Cầu