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半導体製造用の高温耐性SiCフォーク,最大使用温度1650°C,屈曲強度3800MPa

炭化ケイ素セラミック
December 18, 2025
カテゴリー 接続: シリコンカルビッドセラミック
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タグ:
#シリコンカービッドセラミックス #圧力をかけないシンター型SIC #Sicの製陶術
Brief: このビデオでは,高温耐性SiCフォークを実用化しています.半導体製造における卓越したパフォーマンスを展示する圧力をかけないシリコンシンター化ロボット腕が 1650°Cの高温に耐える一方で 繊細なシリコンウエファーの精密な操作を 維持している様子をご覧いただけます優れた熱管理と機械的強度について説明しますCVDや拡散炉などの苛酷な環境でプロセス信頼性と出力を向上させる方法を説明します.
Related Product Features:
  • 空気中の1650°Cまでの作業温度に耐えるため,高温半導体プロセスで構造的整合性を維持する.
  • 室温から 1300 ℃までの曲げ強度が 320 ～ 400 MPa と高く、重荷重下でも信頼性の高い性能を発揮します。
  • 20°Cで196W/m*Kの優れた熱伝導性を有し,熱ショック耐性を優れた低熱膨張と組み合わせています.
  • 2350 kg/mm2 の超高いビッカース硬さとほぼゼロのオープン孔隙を備えて,例外的な耐磨性と耐久性があります.
  • 410 GPa の高弾力電極は,シリコンウェーファーのような敏感な基板の最小の屈曲と高精度な処理を可能にします.
  • クリーンルーム環境における粒子発生と汚染を低減し、プロセスの信頼性を向上させます。
  • プロセスガスや洗浄剤による化学腐食に対して優れた耐性を備えています。
  • クォーツやグラフィット代替物と比較して使用寿命が延長され,メンテナンス停止時間を短縮する.
FAQ:
  • これらのSiCフォークの最大動作温度は何度ですか？
    この高温耐性SiCフォークは 1650°Cの温度まで耐えるのに 構造の整合性を保ちます高温半導体製造プロセスに最適化.
  • これらの SiC フォークは機械的強度の点でどのような性能を発揮しますか?
    このフォークは、室温から 1300°C までの範囲で 320 ～ 400 MPa の高い曲げ強度を備えており、重負荷下でも信頼性の高い性能を保証し、要求の厳しい自動化アプリケーションでも精度を維持します。
  • 石英やグラフィットなどの 伝統的な材料に比べて どんな利点がありますか?
    石英やグラファイトの代替品と比較して、これらのSiCフォークは、長寿命、メンテナンスダウンタイムの削減、優れた耐熱衝撃性（>350℃）、超高硬度（2350 kg/mm²ビッカース）、およびクリーンルーム環境での微粒子発生の最小化を実現します。
  • これらのSiCフォークは通常どの半導体製造アプリケーションで使用されますか?
    これらのフォークは,CVD,LPCVD,拡散炉,および他の高温機器で,極端な温度,化学的耐性,機械的な安定性も重要です.
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