องค์ประกอบเตาอบซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีประสิทธิภาพสูง มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูงสุด ความแข็งแรงทางกลสูงสุด และการจัดการทางความร้อนอย่างพิเศษ

องค์ประกอบเตาอบซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ของเราให้บริการแก้ไขเซรามิกที่ทันสมัย สําหรับการผลิตครึ่งตัวนําและกระบวนการผลิตแสงอาทิตย์ที่ต้องการออกแบบให้ทนต่ออุณหภูมิสูงสุดถึง 1900 °Cองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงเหล่านี้ ส่งผลให้มีความทนต่อการกระแทกทางอุณหภูมิที่ดีที่สุด ความแข็งแรงทางกลที่พิเศษและการทํางานที่ไม่ติดเชื้อ - ให้อายุการใช้งานที่ยาวนานกว่ามากและการผ่านที่สูงกว่าเมื่อเทียบกับแลกเปลี่ยนควอตซ์แบบดั้งเดิม.