logo
ขออ้าง |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่เชื่อมต่อด้วยปฏิกิริยา

ไม้พายซิลิคอนคาร์ไบด์แบบรีแอคชันบอนด์พร้อมอุณหภูมิการใช้งานระยะยาว 1380°C, ความสามารถในการรับน้ำหนักสูง และการขยายตัวทางความร้อนที่เข้ากันได้ดีเยี่ยมสำหรับการจัดการเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ซีลิคอนคาร์ไบด์เซรามิก

(37)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่เชื่อมต่อด้วยปฏิกิริยา

(17)

องค์ประกอบความร้อน

(46)

เซรามิกซิลิคอนไนไตรด์

(12)

อะลูมิเนียมออกไซด์ เซรามิก

(38)

ซีรคอนิโอออกไซด์เซรามิก

(5)

โบรออนไนไตรดเซรามิก

(4)

ผงเซรามิค

(4)
ได้รับการรับรอง
จีน Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd รับรอง
จีน Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd รับรอง
ความคิดเห็นของลูกค้า
เอ็นจีเคให้ความสำคัญกับความร่วมมือระยะยาวกับ Shaanxi Kegu เซรามิก SSiC ของพวกเขามีความเป็นเลิศด้านคุณภาพและนวัตกรรม ซึ่งเป็นแรงผลักดันความสำเร็จร่วมกันของเรา ขอให้ความร่วมมือดำเนินต่อไป!

—— บริษัท เอ็นจีเค เทอร์มอล เทคโนโลยี จำกัด

ที่ Huike เราภูมิใจในความเป็นหุ้นส่วนระยะยาวของเรากับ Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd. ซึ่งเป็นความร่วมมือที่หยั่งรากลึกในความไว้วางใจ นวัตกรรม และความเป็นเลิศร่วมกัน ความเชี่ยวชาญของพวกเขาในเซรามิก SSiC และโซลูชันที่เชื่อถือได้ได้สนับสนุนโครงการของเราอย่างต่อเนื่อง

—— ซูโจว ฮุ่ยเค่อ เทคโนโลยี จำกัด

เราในเคด้าชื่นชมมากต่อความร่วมมือที่ยาวนานของเรากับ บริษัท ชานซี เคกู นิวแมเทอเรียล เทคโนโลยี จํากัดโซลูชั่นเซรามิก SSiC คุณภาพสูงของพวกเขาเป็นส่วนสําคัญของโครงการของเรา และเราหวังที่จะร่วมมือต่อและประสบความสําเร็จร่วมกัน.

—— บริษัท เคดา อินดัสเตรียล กรุ๊ป จํากัด

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ไม้พายซิลิคอนคาร์ไบด์แบบรีแอคชันบอนด์พร้อมอุณหภูมิการใช้งานระยะยาว 1380°C, ความสามารถในการรับน้ำหนักสูง และการขยายตัวทางความร้อนที่เข้ากันได้ดีเยี่ยมสำหรับการจัดการเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

Reaction-Bonded Silicon Carbide Paddle with 1380°C Long-term Service Temperature, High Load-Bearing Capacity, and Superior Thermal Expansion Match for Semiconductor Wafer Handling
Reaction-Bonded Silicon Carbide Paddle with 1380°C Long-term Service Temperature, High Load-Bearing Capacity, and Superior Thermal Expansion Match for Semiconductor Wafer Handling Reaction-Bonded Silicon Carbide Paddle with 1380°C Long-term Service Temperature, High Load-Bearing Capacity, and Superior Thermal Expansion Match for Semiconductor Wafer Handling Reaction-Bonded Silicon Carbide Paddle with 1380°C Long-term Service Temperature, High Load-Bearing Capacity, and Superior Thermal Expansion Match for Semiconductor Wafer Handling Reaction-Bonded Silicon Carbide Paddle with 1380°C Long-term Service Temperature, High Load-Bearing Capacity, and Superior Thermal Expansion Match for Semiconductor Wafer Handling

ภาพใหญ่ :  ไม้พายซิลิคอนคาร์ไบด์แบบรีแอคชันบอนด์พร้อมอุณหภูมิการใช้งานระยะยาว 1380°C, ความสามารถในการรับน้ำหนักสูง และการขยายตัวทางความร้อนที่เข้ากันได้ดีเยี่ยมสำหรับการจัดการเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

รายละเอียดสินค้า:
ติดต่อ

ไม้พายซิลิคอนคาร์ไบด์แบบรีแอคชันบอนด์พร้อมอุณหภูมิการใช้งานระยะยาว 1380°C, ความสามารถในการรับน้ำหนักสูง และการขยายตัวทางความร้อนที่เข้ากันได้ดีเยี่ยมสำหรับการจัดการเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

ลักษณะ
เน้น:

ไม้พาย RBSiC แบบยื่นยาว อุณหภูมิการใช้งานระยะยาว 1380°C

,

พายจับเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ความจุสูงรับน้ำหนัก

,

ไม้พายซิลิคอนคาร์ไบด์แบบรีแอคชันบอนด์ที่เข้ากันได้ดีเยี่ยมในการขยายตัวทางความร้อน

แผ่นรองรับแบบยื่น Reaction-Bonded Silicon Carbide (RBSiC): ออกแบบอย่างแม่นยำสำหรับการจัดการเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์
ในสภาพแวดล้อมที่ขับเคลื่อนด้วยความแม่นยำของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ส่วนประกอบทุกชิ้นภายในห่วงโซ่การจัดการเวเฟอร์ต้องรับประกันความน่าเชื่อถือสูงสุดและความสมบูรณ์ของมิติ แผ่นรองรับแบบยื่น ซึ่งเป็นส่วนต่อประสานที่สำคัญในระบบการโหลดอัตโนมัติ ส่งผลกระทบโดยตรงต่อผลผลิตของกระบวนการ ปริมาณงาน และความสามารถในการปรับขนาดของเรา แผ่นรองรับแบบยื่น Reaction-Bonded Silicon Carbide (RBSiC) ได้รับการออกแบบมาเพื่อมอบประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในที่ที่สำคัญที่สุด—ภายใต้อุณหภูมิสูง รอบความร้อนซ้ำๆ และข้อกำหนดด้านความสะอาดที่เข้มงวด
เสถียรภาพที่เหนือกว่าผ่านวิศวกรรมวัสดุขั้นสูง
ผลิตโดยใช้ กระบวนการ reaction-bonding แผ่นรองรับของเราบรรลุการผสมผสานที่เป็นเอกลักษณ์ของความบริสุทธิ์สูง ความแม่นยำใกล้เคียงรูปร่างสุทธิ และคุณสมบัติทางความร้อนเชิงกลที่ยอดเยี่ยม สิ่งนี้ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการในระบบการจัดการและถ่ายโอนเวเฟอร์แบบหุ่นยนต์
ข้อมูลประสิทธิภาพหลัก
คุณสมบัติ หน่วย ค่า/ข้อมูลทั่วไป
อุณหภูมิการบริการระยะยาว °C ≤ 1380
ความหนาแน่น g/cm³ ≥ 3.02
การดูดซึม % ≤ 0.1
ความแข็งแรงดัด MPa 250 (20°C); 281 (1200°C)
โมดูลัสยืดหยุ่น GPa 332 (20°C); 300 (1200°C)
การนำความร้อน (1200 °C) W/m*K 45
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน K⁻¹ * 10⁻⁶ 4.5
ความแข็ง Mohs - 9
ความต้านทานกรดและด่าง - ยอดเยี่ยม
ข้อได้เปรียบหลักที่เปิดใช้งานโดย RBSiC
  • เสถียรภาพของมิติที่ไม่มีใครเทียบได้ที่อุณหภูมิสูง: โครงสร้างแบบ reaction-bonded ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการเสียรูปน้อยที่สุดและการคืบคลานเป็นศูนย์ภายใต้ภาระความร้อนอย่างต่อเนื่อง ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการรักษาตำแหน่งเวเฟอร์ที่แม่นยำในกระบวนการเตาเผา
  • ความสามารถในการรับน้ำหนักสูงและความแข็ง: ความแข็งแรงดัดและโมดูลัสที่ยอดเยี่ยมรองรับน้ำหนักเวเฟอร์สูงได้อย่างน่าเชื่อถือ ทำให้สามารถจัดการได้อย่างมั่นคงในสภาพแวดล้อมการประมวลผลแบบแบทช์
  • เหมาะสำหรับการทำงานอัตโนมัติด้วยหุ่นยนต์: ออกแบบมาเพื่อการผสานรวมที่ราบรื่นเข้ากับพอร์ตโหลดอัตโนมัติ หุ่นยนต์ถ่ายโอน และระบบการจัดการ ทำให้มั่นใจได้ถึงการทำงานที่ราบรื่น ทำซ้ำได้ และลดอนุภาค
  • การจับคู่การขยายตัวทางความร้อนที่เหนือกว่า: ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน (CTE) ที่ปรับแต่งมาอย่างเหมาะสมตรงกับเวเฟอร์ซิลิคอนและหลอดเตาเผาควอตซ์อย่างใกล้ชิด ลดความเครียดจากความร้อนและความเสี่ยงในการจัดตำแหน่งที่ไม่ถูกต้องในกระบวนการต่างๆ เช่น LPCVD, การแพร่กระจาย และการอบอ่อน
การเปลี่ยนแปลงความสามารถในการปรับขนาดของกระบวนการและประสิทธิภาพการดำเนินงาน
การรวมแผ่นรองรับแบบยื่น RBSiC ของเราช่วยให้เกิดความก้าวหน้าที่จับต้องได้ทั้งในด้านความสามารถของกระบวนการและเศรษฐศาสตร์ของโรงงาน:
  • เปิดใช้งานการประมวลผลเวเฟอร์ขนาดใหญ่ในเครื่องมือที่มีอยู่: ความเสถียรของหน้าตัดที่ยอดเยี่ยมช่วยให้สามารถติดตั้งหลอดเตาเผาที่มีอยู่ใหม่ได้อย่างน่าเชื่อถือสำหรับการประมวลผลเส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์ที่ใหญ่ขึ้น ซึ่งเป็นการยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์ทุน
  • ลดการปนเปื้อนของอนุภาค: ความหนาแน่นสูงและการตกแต่งพื้นผิวที่เรียบช่วยลดการสร้างและการยึดเกาะของอนุภาค ซึ่งช่วยปรับปรุงผลผลิตโดยตรงในการใช้งานที่สำคัญในห้องคลีนรูม
  • ขยายรอบการบำรุงรักษาและการทำความสะอาด: ความทนทานต่อความล้าจากความร้อน ออกซิเดชัน และการสัมผัสสารเคมีที่โดดเด่นช่วยยืดระยะเวลาการให้บริการอย่างมาก ลดเวลาหยุดทำงานและค่าใช้จ่ายสิ้นเปลือง
  • รับประกันความสม่ำเสมอของกระบวนการ: ประสิทธิภาพที่สอดคล้องกันตลอดรอบความร้อนช่วยให้มั่นใจได้ถึงการวางเวเฟอร์และโปรไฟล์การให้ความร้อนที่ทำซ้ำได้ รองรับการสะสมฟิล์มและการควบคุมกระบวนการที่สม่ำเสมอ
ความเป็นเลิศทางเทคนิคที่หยั่งรากลึกในคุณสมบัติของวัสดุ
โครงสร้างซิลิคอนคาร์ไบด์แบบ reaction-bonded ให้สมดุลที่เหมาะสมของคุณสมบัติที่จำเป็นสำหรับการจัดการเวเฟอร์:
  • ความแข็งแรงทางกลและความเหนียวของรอยแตกสูง
  • การนำความร้อนที่ดีเยี่ยมพร้อมการขยายตัวทางความร้อนต่ำ
  • เฉื่อยต่อก๊าซกระบวนการส่วนใหญ่และสภาพแวดล้อมพลาสมา
  • ความเสถียรในระยะยาวในบรรยากาศออกซิไดซ์และลดลงสูงถึง 1380°C
เหมาะสำหรับการออกแบบระบบ Retrofit และ Next-Generation
ไม่ว่าจะอัปเกรดระบบการจัดการเวเฟอร์ที่มีอยู่สำหรับโหนดขั้นสูง หรือออกแบบอุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์รุ่นต่อไป แผ่นรองรับแบบยื่น RBSiC ของเรานำเสนอโซลูชันที่พิสูจน์แล้วและเชื่อถือได้เพื่อเพิ่มความแม่นยำ ความสามารถในการปรับขนาด และความคุ้มค่า
พร้อมที่จะออกแบบความแม่นยำในกระบวนการจัดการเวเฟอร์ของคุณแล้วหรือยัง?
ติดต่อทีมงานด้านเทคนิคของเราเพื่อหารือเกี่ยวกับข้อกำหนดการใช้งานของคุณ ขอกำหนดไฟล์การออกแบบ หรือสำรวจโซลูชันแผ่นรองรับที่ออกแบบเองซึ่งปรับให้เหมาะกับชุดเครื่องมือและข้อกำหนดของกระบวนการของคุณ

แท็ก:

ซินเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์,

SIC ที่เชื่อมต่อด้วยปฏิกิริยา,

เซรามิกคาร์ไบด์ซิลิคอน

รายละเอียดการติดต่อ
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

ผู้ติดต่อ: Ms. Yuki

โทร: 8615517781293

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
รางสี่เหลี่ยม SiC ความแข็งแรงสูงตามสั่ง ด้วยอุณหภูมิสูงสุด 1380 °C ความแข็งแรงในการบิด 250MPa และความทนทานต่อการกระแทกทางความร้อนสําหรับการสนับสนุนเตาอบ

รางสี่เหลี่ยม SiC ความแข็งแรงสูงตามสั่ง ด้วยอุณหภูมิสูงสุด 1380 °C ความแข็งแรงในการบิด 250MPa และความทนทานต่อการกระแทกทางความร้อนสําหรับการสนับสนุนเตาอบ

วัสดุ: sic

ส่วนประกอบ:SiC: >85%

สี: สีดำ

ความหนาแน่น: ≥3.0g/cm3
ท่อทําความเย็นด้วยอากาศจากซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีปฏิกิริยาซินเตอร์สําหรับการทําความเย็นอุตสาหกรรมระยะยาวสูง ด้วยความร้อนในการใช้งานสูงสุด 1380 °C และความแข็งแรงในการบิด 250MPa

ท่อทําความเย็นด้วยอากาศจากซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีปฏิกิริยาซินเตอร์สําหรับการทําความเย็นอุตสาหกรรมระยะยาวสูง ด้วยความร้อนในการใช้งานสูงสุด 1380 °C และความแข็งแรงในการบิด 250MPa

วัสดุ: sic

ส่วนประกอบ:SiC: >85%

สี: สีดำ

ความหนาแน่น: ≥3.0g/cm3
แผ่นรอง RBSiC พร้อมอุณหภูมิการใช้งานระยะยาว 1380°C, ทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันได้ดีเยี่ยม และรับน้ำหนักได้สูงสำหรับอุปกรณ์เตาเผา

แผ่นรอง RBSiC พร้อมอุณหภูมิการใช้งานระยะยาว 1380°C, ทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันได้ดีเยี่ยม และรับน้ำหนักได้สูงสำหรับอุปกรณ์เตาเผา
ท่อเซรามิกซิลิคคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูง และอุปกรณ์ประกอบด้วย 1380 °C อุณหภูมิการใช้งานยาวนาน, ความสามารถในการนําความร้อนที่ดีเยี่ยม และความทนทานต่อการกัดกร่อน

ท่อเซรามิกซิลิคคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูง และอุปกรณ์ประกอบด้วย 1380 °C อุณหภูมิการใช้งานยาวนาน, ความสามารถในการนําความร้อนที่ดีเยี่ยม และความทนทานต่อการกัดกร่อน
ท่อรังสีเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (RB-SiC) ที่เชื่อมด้วยปฏิกิริยา: การกำหนดนิยามใหม่ของประสิทธิภาพการถ่ายเทความร้อนที่อุณหภูมิสูง

ท่อรังสีเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (RB-SiC) ที่เชื่อมด้วยปฏิกิริยา: การกำหนดนิยามใหม่ของประสิทธิภาพการถ่ายเทความร้อนที่อุณหภูมิสูง
เกี่ยวกับ

ซีลิคอนคาร์ไบด์เซรามิก

กุ้ง SiC ที่ทนความร้อนสูงที่มีความร้อนในการใช้งานสูงสุด 1650 °C และความแข็งแรงในการบิด 3800MPa สําหรับการผลิตครึ่งประสาท

ปรับปรุงความดันไม่ซินเตอร์ SiC รอลเลอร์ 1650 °C ทนต่อความร้อนสําหรับหม้อเตาหม้อ

ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่เชื่อมต่อด้วยปฏิกิริยา

ท่อทําความเย็นด้วยอากาศจากซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีปฏิกิริยาซินเตอร์สําหรับการทําความเย็นอุตสาหกรรมระยะยาวสูง ด้วยความร้อนในการใช้งานสูงสุด 1380 °C และความแข็งแรงในการบิด 250MPa

หัวเผา SiC เสถียรที่อุณหภูมิสูง พร้อมทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิและการกัดกร่อนสำหรับเตาอุตสาหกรรม

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ ซีลิคอนคาร์ไบด์เซรามิก จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd. All Rights Reserved.