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ED シリーズ 同直径のシリコンカービッド熱棒 - 1500°C 最大温度,産業用炉の抵抗が30%低くなる

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中国 Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd 認証
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ED シリーズ 同直径のシリコンカービッド熱棒 - 1500°C 最大温度,産業用炉の抵抗が30%低くなる

ED Series Equal Diameter Silicon Carbide Heating Rod - 1500°C Max Temp, 30% Lower Resistance for Industrial Furnaces
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大画像 :  ED シリーズ 同直径のシリコンカービッド熱棒 - 1500°C 最大温度,産業用炉の抵抗が30%低くなる

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: KEGU
モデル番号: カスタマイズ可能
お支払配送条件:
価格: 200-500 yuan/kg
パッケージの詳細: 強力な木製の箱 グローバル輸送のために
支払条件: 信用状、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 2,000 PC/月

ED シリーズ 同直径のシリコンカービッド熱棒 - 1500°C 最大温度,産業用炉の抵抗が30%低くなる

説明
材料: sic 組成:SiC: >85%
色: 密度: 2.6〜2.8g/cm³
最大。サービス温度: 1500℃ サイズ: カスタマイズされた
抗張力: > 150kg/cm2 線形膨張係数係数(20-1500℃): 5.2×10⁻⁶/℃
くねりの強さ: >300kg 放射状: 0.85
気孔率率: <30% 硬度: > 9moh's
熱伝導率: 10〜14kcal/m hr℃
ハイライト:

工業用発熱体

,

工業用sicヒーターエレメント

,

ed型発熱体

EDシリーズ 同直径のシリコン・カービッド熱棒
EDシリーズの同じ直径のシリコンカービッド棒は,次世代の高性能の非金属的な加熱要素を表しています.高級グリーン・シリコン・カービッドから先端加工で製造高温シリシ化と再結晶化技術により,これらの加熱エレメントは,伝統的な厚い端の構成を排除する革命的な均質直径設計を特徴としています.
革新的な同直径構造により30% 下端抵抗常规のシリコンカービッド棒と比較して,熱ストレス濃度を劇的に削減し,使用寿命を最大40%延長します.1500°Cこの暖房エレメントは15-20% の 電力 節約伝統的なデザインよりも
主要 な 特徴 と 利点
  • 均一直径設計:抵抗の集中点を排除する
  • 耐久性が向上する従来のSiC棒よりも 40%長寿命
  • 優れたエネルギー効率:電力消費量を15~20%削減
  • 高温性能:1450°Cまで信頼性の高い動作
  • 熱圧を減らす熱の分布でさえ 障害点を最小限に抑える
  • 迅速な熱反応熱伝達性能を最適化
テクニカル仕様
  • 最大動作温度:1500°C
  • 直径範囲:標準サイズとカスタムサイズ
  • 電力節約:従来のSiC棒と比較して15~20%
  • エンドレジスタンス従来の設計より30%低
  • 平均 寿命:運用寿命が40%延長される
これらの高度な加熱要素は,正確な温度制御,一貫した性能,低コストの運用を必要とする産業用炉のために特別に設計されています.EDシリーズは,既存の炉のほとんどの設計と互換性があり,酸化と惰性の両方の大気の中で優れた性能を提供します.
SiCヒートエレメントの物理特性
プロパティ 価値 プロパティ 価値
特殊重力 2.6-2.8g/cm3 曲がる強さ >300kg
硬さ >9 MOH'S 張力強度 >150 kg/cm3
孔隙率 <30% 熱放射線 0.85
SiCヒートエレメントの温度依存特性
温度 (°C) 線形膨張係数 (10−6m/°C) 熱伝導性 (kcal/Mgr°C) 特定熱量 (cal/g°C)
0 / / 0.148
300 3.8 / /
400 / / 0.255
600 4.3 14 - 18 /
800 / / 0.294
900 4.5 / /
1100 / 12から16 /
1200 4.8 / 0.325
1300 / 10〜14 /
1500 5.2 / /
SiCヒートエレメントの温度と表面負荷評価
大気 炉温 (°C) 表面負荷 (W/cm2) 元素への影響 解決策
アモニア 1290 3.8 SiC に作用し,SiO2 の保護フィルムを減少させる. 露点では活性
CO2 1450 3.1 元素の侵食 クォーツチューブによる保護
18% CO 1500 4.0 行動なし
20% CO 1370 3.8 SiO2 保護フィルムに作用するC粒を吸収する
ハロゲン 704 3.8 SiC を攻撃し,SiO2 を減少させる保護フィルム クォーツチューブによる保護
炭水化物 1310 3.1 吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす 十分な空気で満たす
水素 1290 3.1 SiC に作用し,SiO2 の保護フィルムを減少させる. 露点では活性
メタン 1370 3.1 吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす
N について 1370 3.1 SiCと作用し,SiN隔熱層を形成する
ほら 1310 3.8 元素の侵食 クォーツチューブによる保護
SO2 1310 3.8 元素の侵食 クォーツチューブによる保護
空気圏 1204 3.8
酸素 1310 3.8 SiCは酸化される
水 (種類) 1090年〜1370年 3.1-3.6 SiC に作用し,シリコン水化物を形成する
産業用用途
磁気材料の加工と熱処理
パウダーメタルジーのシンタリングオーブン
技術陶器の生産炉
ガラスの溶融と加工装置
金属加工用熱処理炉
産業用実験室の暖房システム
半導体製造機器

連絡先の詳細
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

コンタクトパーソン: Ms. Yuki

電話番号: 8615517781293

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