反応結合シリコンカービッドパドル 1380°C 長期使用温度 高負荷容量 優れた熱膨張マッチ 半導体ウェーファー処理
製品概要
反応結合シリコンカービッド (RBSiC) キャンティレバーパドル:半導体ウェーファー処理のために精密設計 半導体製造の精密な環境では ワイファー処理チェーン内の各部品は 最大限の信頼性と 尺寸の整合性を保証しなければなりません自動積載システムにおける重要なインターフェースとしてプロセス出力,スループット,スケーラビリティに直接影響します.反応結合シリコンカービッド (RBSiC) のキャントリバーペッドル高温,繰り返しの熱循環,そして厳格な清潔性要求下で 最も重要なところにおいて 卓越した性能を提供するように設計されています 高級 材料 工学 に よっ て 優れた 安定性 製造は反応結合プロ...
製品詳細
ハイライト:
1380°C 反応結合シリコンカービッドパドル
,反応結合シリコンカービッドパドル
Long-Term Service Temperature:
≤ 1380°C
Density:
≥ 3.02g/cm3
Apparent Porosity:
≤0.1％
Flexural Strength:
250MPa(20℃); 281MPa(1200℃)
Elastic Modulus:
332GPa(20℃); 300GPa(1200℃)
Thermal Conductivity (1200 °C):
45W/m*K
Coefficient Of Thermal Expansion:
4.5K⁻¹ * 10⁻⁶
Mohs Hardness:
9
Acid & Alkali Resistance:
素晴らしい
製品の説明
反応結合シリコンカービッド (RBSiC) キャンティレバーパドル:半導体ウェーファー処理のために精密設計
半導体製造の精密な環境では ワイファー処理チェーン内の各部品は 最大限の信頼性と 尺寸の整合性を保証しなければなりません自動積載システムにおける重要なインターフェースとしてプロセス出力,スループット,スケーラビリティに直接影響します.反応結合シリコンカービッド (RBSiC) のキャントリバーペッドル高温,繰り返しの熱循環,そして厳格な清潔性要求下で 最も重要なところにおいて 卓越した性能を提供するように設計されています
高級 材料 工学 に よっ て 優れた 安定性
製造は反応結合プロセス高度の純度 網状の精度 卓越した熱機械性能の ユニークな組み合わせですローボット化ウエーファー処理と転送システムにおける要求の高いアプリケーションに理想的な選択となります.
主要なパフォーマンスデータ
| 資産 | ユニット | 典型的な値/データ |
|---|---|---|
| 長期使用温度 | °C | ≤ 1380 |
| 密度 | g/cm3 | ≥ 302 |
| 表面的な毛孔性 | % | ≤0.1 |
| 折りたたみ力 | MPa | 250 (20°C); 281 (1200°C) |
| エラスティックモジュール | GPa | 332 (20°C); 300 (1200°C) |
| 熱伝導性 (1200 °C) | W/m*K | 45 |
| 熱膨張の係数 | K−1 * 10−6 | 4.5 |
| モース硬さ | - | 9 |
| アシドとアルカリ耐性 | - | すごい |
RBSiC がもたらす主な利点
- 高温での次元安定性反応結合構造は,持続的な熱負荷下で最小限の変形とゼロのスリップを保証し,炉プロセスにおける正確なウエファー位置を維持するために重要です.
- 高い負荷容量と硬さ:優れた折りたたみ強度とモジュールは,高いウエファー負荷を信頼的にサポートし,バッチ処理環境で安定した処理を可能にします.
- ロボット自動化のために最適化:自動積載ポート,転送ロボット,ハンドリングシステムへのシームレスな統合のために設計され,スムーズで繰り返し可能な,粒子最小限の操作を保証します.
- 超高温膨張マッチ調整された熱膨張系数 (CTE) は,シリコン・ウェーファーやクォーツ炉管の熱膨張系数と密接に一致し,LPCVDなどのプロセスにおける熱ストレスと不整列リスクを軽減します.拡散焼却する
プロセスのスケーラビリティと運用効率を転換する
RBSiCのカントリレバーパドルを統合することで プロセス能力と製造経済の両方において 実感的な進歩が可能になります
- 既存のツールでより大きなウェーファー処理を可能にします.特殊な横切断安定性により,既存の炉管は,より大きなワファー直径の加工のために信頼性のある後装が可能になり,設備のライフサイクルを延長します.
- 粒子汚染を減らす:高密度と滑らかな表面仕上げは,粒子の生成と粘着を最小限に抑え,クリーンルームの重要なアプリケーションでの生産性を直接改善します.
- メンテナンスと清掃サイクルを延長する:熱性疲労,酸化,化学的暴露に対する優れた耐性により,サービス間隔が大幅に延長され,ダウンタイムと消費品コストが削減されます.
- プロセスの均一性を確保する熱サイクル全体で一貫した性能は,ホイファー配置と加熱プロファイルの繰り返しを保証し,均質なフィルム堆積とプロセス制御をサポートします.
材料 の 特質 に 根ざす 技術 的 な 卓越 性
反応結合のシリコンカービッド構造は,ウエファー処理に不可欠な特性の最適なバランスを提供します.
- 高機械強度と骨折強度
- 熱伝導性が優れ,熱膨張が低い
- ほとんどのプロセスガスとプラズマ環境に対する惰性
- 1380°Cまで酸化・還元環境における長期安定性
リトロフィットと次世代のシステム設計に最適
次の世代の半導体製造機器を設計するにせよ 私たちのRBSiCカントリレバーパッドルは高い精度のための信頼性の高いソリューション拡張性やコスト効率性
精密な工学技術で ワッフル処理を できるようになりましたか?
ご希望のアプリケーションの仕様や デザインファイルをご相談ください ツールセットや プロセス要件に合わせて パーソナル・エンジニアリングされたパドルソリューションを探索してください
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- メールアドレス: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
- ワットスアップ: 8613390790728
-
ウェチャット:
Scarlettseren533
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