1380°C 장기 서비스 온도를 제공하는 반응 결합 실리콘 카바이드 패들 반도체 웨이퍼 핸들링에 적합한 높은 내하중 용량 및 우수한 열팽창 매칭
제품 요약
반응 결합 실리콘 탄화물 (RBSiC) 캔티리버 페들: 반도체 웨이퍼 취급을 위해 정밀 엔지니어링 반도체 제조의 정밀 운전 환경에서 웨이퍼 처리 체인 내의 모든 구성 요소는 최대 신뢰성과 차원 무결성을 보장해야합니다.자동 로딩 시스템의 중요한 인터페이스로, 직접적으로 프로세스 생산량, 처리량 및 확장성에 영향을 미칩니다.반응 결합 실리콘 탄화물 (RBSiC) 캔티리버 패들높은 온도, 반복되는 열주기 및 엄격한 청결 요구 사항에서 가장 중요한 곳에서 예외적인 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 첨단 재료 공학 을 통해 뛰어난 안정성 제...
제품 상세정보
강조하다:
1380°C 반응 결합 탄화 규소 패들
,반응 결합 탄화 규소 패들
Long-Term Service Temperature:
≤ 1380°C
Density:
≥ 3.02g/cm³
Apparent Porosity:
≤ 0.1%
Flexural Strength:
250MPa(20°C); 281MPa(1200°C)
Elastic Modulus:
332GPa(20°C); 300GPa(1200°C)
Thermal Conductivity (1200 °C):
45W/m*K
Coefficient Of Thermal Expansion:
4.5K⁻¹ * 10⁻⁶
Mohs Hardness:
9
Acid & Alkali Resistance:
훌륭한
제품 설명
반응 결합 실리콘 탄화물 (RBSiC) 캔티리버 페들: 반도체 웨이퍼 취급을 위해 정밀 엔지니어링
반도체 제조의 정밀 운전 환경에서 웨이퍼 처리 체인 내의 모든 구성 요소는 최대 신뢰성과 차원 무결성을 보장해야합니다.자동 로딩 시스템의 중요한 인터페이스로, 직접적으로 프로세스 생산량, 처리량 및 확장성에 영향을 미칩니다.반응 결합 실리콘 탄화물 (RBSiC) 캔티리버 패들높은 온도, 반복되는 열주기 및 엄격한 청결 요구 사항에서 가장 중요한 곳에서 예외적인 성능을 제공하도록 설계되었습니다.
첨단 재료 공학 을 통해 뛰어난 안정성
제조된반응 결합 과정, 우리의 패드는 고순도, 거의 직선 모양의 정밀도, 그리고 예외적인 열기계 특성의 독특한 조합을 달성합니다.이것은 그들을 로봇 웨이퍼 처리 및 전송 시스템에서 까다로운 응용 프로그램에 대한 이상적인 선택으로 만듭니다..
주요 성능 데이터
| 재산 | 단위 | 전형적 값/데이터 |
|---|---|---|
| 장기 사용 온도 | °C | ≤ 1380 |
| 밀도 | g/cm3 | ≥ 302 |
| 겉으로 보이는 엽기성 | % | ≤ 0.1 |
| 굽기 힘 | MPa | 250 (20°C); 281 (1200°C) |
| 탄력 모듈 | GPa | 332 (20°C); 300 (1200°C) |
| 열전도 (1200 °C) | W/m*K | 45 |
| 열 팽창 계수 | K−1 * 10−6 | 4.5 |
| 모스 강도 | - | 9 |
| 산과 알칼리 저항성 | - | 훌륭해요 |
RBSiC가 제공하는 주요 장점
- 높은 온도에서 비교할 수 없는 차원 안정성:반응 결합 구조는 지속 된 열 부하 하에서 최소한의 변형과 제로 스크립을 보장하며, 오븐 프로세스에서 정확한 웨이퍼 위치를 유지하는 데 중요합니다.
- 높은 부하 운반 능력과 딱딱함:우수한 굴곡 강도와 모듈은 높은 웨이퍼 부하를 안정적으로 지원하여 팩 처리 환경에서 안정적인 처리 기능을 제공합니다.
- 로봇 자동화에 최적화 된:자동화 된 로드 포트, 전송 로봇 및 취급 시스템으로 원활하고 반복 가능하며 입자 최소화 작업을 보장하는 원활한 통합을 위해 설계되었습니다.
- 우수한 열 확장 일치:맞춤형 열 확장 계수 (CTE) 는 실리콘 웨이퍼와 쿼츠 오븐 튜브와 밀접하게 일치하여 LPCVD와 같은 공정에서 열 스트레스와 오차 위험을 줄입니다.분산, 그리고 굽는.
프로세스 확장성 및 운영 효율성을 변환
우리의 RBSiC 캔틸리버 패드를 통합하면 프로세스 능력과 제조 경제성 모두에서 실질적인 발전이 가능합니다.
- 기존 도구에서 더 큰 웨이퍼 처리를 가능하게 합니다.이례적인 가로 절단 안정성은 기존의 오븐 튜브를 더 큰 웨이퍼 지름의 처리를 위해 안정적으로 재구성하여 자본 장비의 수명 주기를 연장 할 수 있습니다.
- 미세먼지 오염을 줄이세요높은 밀도와 부드러운 표면 완성도는 입자 생성 및 접착을 최소화하여 청정실 비중있는 응용 프로그램에서 생산량을 직접 향상시킵니다.
- 유지보수 및 청소 주기를 연장합니다:열 피로, 산화 및 화학 물질 노출에 대한 뛰어난 저항은 서비스 간격을 크게 연장하여 정지 시간 및 소비 비용을 줄입니다.
- 프로세스 균일성 확보:열주기에 걸쳐 일관된 성능은 반복 가능한 웨이퍼 배치 및 난방 프로파일을 보장하며 균일한 필름 퇴적 및 프로세스 제어를 지원합니다.
재료 특성 에 뿌리 를 둔 기술 우수성
반응 결합 된 실리콘 탄화물 구조는 웨이퍼 취급에 필수적인 특성의 최적의 균형을 제공합니다.
- 높은 기계적 강도 및 부러지기 강도
- 열 확장이 낮은 우수한 열 전도성
- 대부분의 공정 가스 및 플라즈마 환경에 대한 무력성
- 1380°C까지 산화 및 감소 대기에서의 장기 안정성
후향 및 차세대 시스템 설계에 이상적입니다.
기존 웨이퍼 처리 시스템을 첨단 노드로 업그레이드하거나 다음 세대의 반도체 제조 장비를 설계하든, 우리의 RBSiC 캔틸리버 패드는더 높은 정확성을 위한 신뢰할 수 있는 솔루션, 확장성, 그리고 비용 효율성
웨이퍼 처리 과정에 정밀도를 적용할 준비가 되셨습니까?
우리의 기술 팀과 연락하여 애플리케이션 사양을 논의하거나 디자인 파일을 요청하거나 도구 세트 및 프로세스 요구 사항에 맞춘 맞춤형 패들 솔루션을 탐색하십시오.
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- 이메일: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
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-
웨이 채팅:
Scarlettseren533
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