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Dettagli:
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| Materiale: | Sic | Composizione:SiC: | >85% |
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| colore: | Nero | Densità: | ≥3.65g/cm3 |
| Massimo. Temp. di servizio: | 1380 ℃ | Resistenza alla flessione: | 250MPa |
| Durezza: | ≥84HRA | Assorbimento d'acqua: | ≤0,2% |
| Abrasione: | < 0,02% | forza di flessione: | ≥290MPa |
| Evidenziare: | Anello in ceramica di allumina di alta purezza,Anello focale in ceramica di alluminio,Anello di bordo in ceramica di alluminio |
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| Caratteristica | Benefici per il vostro processo |
|---|---|
| Resistenza al plasma eccezionale | Prolunga la vita utile:Resiste a ambienti plasmatici aggressivi nelle camere di incisione e di deposizione, riducendo la generazione di particelle e la frequenza di sostituzione. |
| Alta resistenza dielettrica | Isolamento elettrico superiore:Previene le perdite di corrente e l'arco, garantendo la stabilità del processo e proteggendo i componenti sensibili della camera. |
| Alta resistenza alla corrosione | Inerte chimicamente:Resistente alla corrosione da parte di gas a base di alogeni (ad esempio, CF4, Cl2) e altri gas di processo, mantenendo l'integrità geometrica e la consistenza del processo. |
| Alta purezza (A998) | Minimizza la contaminazione:99Il contenuto di allumina pari allo 0,8% garantisce l'assenza di contaminazione metallica, che è fondamentale per la produzione di wafer ad alta purezza e per un alto rendimento. |
| Eccellente resistenza meccanica | Durabile e affidabile:Mantiene l'integrità strutturale sotto stress termico e meccanico, garantendo prestazioni a lungo termine e riducendo i tempi di inattività non pianificati. |
Persona di contatto: Ms. Yuki
Telefono: 8615517781293